标签:CFET

整片集成积极扩展2 d - base逻辑电路(Imec)
通过技术论文链接- 10月28日,2022 -评论:0

技术论文题为“挑战圆片规模集成高性能的二维半导体晶体管电路”被Imec的研究人员发表。“高度的介绍了2 d - base电路高性能逻辑应用程序在生产后预计将实现Si-sheet-based CFET设备。在这里,一个视图所需的要求完整的waf…»阅读更多

周评:制造、测试
通过埃德·斯珀林- 6月17日,2022 -评论:0

节点扩展战争加速,虽然大部分的行动发生在大多数人看不到的地方——在研究实验室。这东西是困难的,这使得交付日期难以确定,也没有人愿意放弃他们的竞争地位或提交时间表不能保持。数十亿美元的尖端研究——由纯粹铸造台积电,IDM……»阅读更多

制造业:11月17日
通过马克LaPedus11月17日,2020 -评论:0

英特尔的gate-all-around场效应晶体管在即将到来的IEEE国际电子设备会议(IEDM),英特尔预计提交论文努力开发gate-all-around晶体管。一篇论文从英特尔描述了一个更传统的gate-all-around晶体管技术称为nanosheet场效应晶体管。另一篇论文包括下一代NMOS-on-PMOS nanoribbon晶体管技术。(F……»阅读更多

制造业:7月14日
通过马克LaPedus7月- 14,2020 -评论:0

互补的场效应晶体管在最近2020年座谈会在VLSI技术和电路,Imec发表了一篇论文在3 d互补场效应晶体管(CFET)在300 mm晶圆。作为演示工具,Imec显示CFET基于14纳米的过程。理想情况下,不过,CFETs是针对下一代晶体管在未来1 nm节点。在晶体管方面,芯片制造商…»阅读更多

基准的研究附加磁场效应晶体管(CFET)过程集成选项:比较散装和SOI和DSOI起始底物
通过Coventor- 6月17日,2020 -评论:0

Sub-5纳米逻辑节点需要一个非常高水平的创新来克服固有的房地产的限制在这个设备密度增加。增加设备密度的一种方法是看设备垂直维度(z)和设备堆叠到彼此代替传统并排。附加磁场效应晶体管的制造(CF…»阅读更多

Nanosheets引入附加磁场效应晶体管(CFETs)
通过本杰明·文森特- 01年6月,2020 -评论:0

2019年11月在我们的博客[1],我们讨论了使用虚拟制造(SEMulator3D)基准不同的流程集成选项Complementary-FET (CFET)制造。CFET CMOS架构,提出了2018年由imec [2]。该架构包含p -和n-MOSFET结构建立在彼此之上,而不是让他们并排。在我们以前的博客,我们r…»阅读更多

研究新一代CFET过程集成选项
通过本杰明·文森特——11月21日,2019 -评论:0

决策是一个关键的步骤,半导体技术的发展。研发半导体工程师必须考虑不同的设计和工艺选择早期发展的新一代技术。建立技术,如失效模式与效应分析(FMEA)可以用来选择其中最有前途的设计和流程的选择。一旦特定的设计和过程米……»阅读更多

基准的研究附加磁场效应晶体管(CFET)流程集成选项
通过Coventor——11月21日,2019 -评论:0

Sub-5纳米逻辑节点需要一个非常高水平的创新来克服固有的房地产的限制在这个设备密度增加。增加设备密度的一种方法是看设备垂直维度(z)和设备堆叠到彼此代替传统并排。[1]附加磁场效应晶体管的制造……»阅读更多

实用的方法来克服的挑战3 d逻辑设计
通过本杰明·文森特- 25,2018 -评论:0

你该怎么做,如果你没有足够的空间来存储你的地板上你所有的旧盒子吗?幸运的是,我们生活在一个三维的世界,你可以开始堆积在彼此的。挑战:如何缩小逻辑器件?逻辑设计师目前面临着更大的挑战比你可能在整理你的存储区域。不仅是逻辑细胞高度拥挤在一起…»阅读更多

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