标签:RC延迟

棉酚的影响在3/2nm晶体管
通过布莱恩•贝利8月- 16,2021 -评论:2

芯片行业准备另一个变化在晶体管结构gate-all-around(棉酚)场效应晶体管取代finFETs 3 nm和下面,创建一个新组设计团队面临的挑战,需要充分理解和解决。从finFETs棉酚场效应晶体管被认为是进化的步骤,但对设计流程和工具的影响仍将是巨大的。棉酚场效应晶体管将提供…»阅读更多

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

5/3nm战争开始
通过马克LaPedus1月23日,2020 -评论:6

一些铸造厂加大他们的新的5 nm工艺在市场上,但现在客户必须决定是否设计他们的下一个芯片在目前晶体管类型或移动到一个不同的一个3 nm和超越。涉及移动扩展的决定今天的finFETs 3海里,或实现一个新的技术称为gate-all-around场效应晶体管(棉酚场效应晶体管)3或2 nm。一个进化步骤f……»阅读更多

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

在包装少了什么
通过埃德·斯珀林- 06年11月2017 -评论:0

的发展前沿的先进包装设计是缓慢向后成旧的节点。与大多数科技工具、方法、材料和处理这个是一切照旧。但在包装,这是违反直觉的和潜在的问题。的主要原因公司开始投资于先进packaging-OSATs铸造厂,瞿等芯片制造商英特尔和…»阅读更多

SoC设计中避免交通堵塞
通过库尔特·舒勒- 8月28日,2017 -评论:0

坐在在一个交通堵塞在上班的路上,我意识到大量的车辆在路上超过原计划能力的土木工程师,当高速公路第一次达到图纸上50或60年前。我意识到有一个平行于今天的soc设计工程师正在努力接近时机在互连后端解放军…»阅读更多

先进的包装逐渐升温
通过杰夫Dorsch7月- 10,2017 -评论:0

半导体行业推动持续的小型化和复杂度的增加推动更广泛的采用system-in-package (SiP)技术。的一大好处(getkc id = " 199 " kc_name = "喝"]是它允许更多的功能被压缩成更小的形式因素,如可穿戴设备和医疗植入物。因此,尽管单个芯片在这个包中可能…»阅读更多

新BEOL /摩尔突破?
通过马克LaPedus- 15,2017 -评论:1

芯片制造商正在推进在先进的晶体管扩展节点,但它变得更加困难。这个行业正在努力保持相同的接触和互联的时间表,这代表了一个更大的部分的成本和不必要的阻力在芯片最先进的节点。尖端芯片晶体管,包括三个部位接触和互联。…»阅读更多

建筑师规格难以遵循
通过安Mutschler12月- 28,2016 -评论:0

解释和实现建筑师的规范越来越难在每个新流程节点,这是创建问题在整个设计流程中,制造业,甚至有时后期制作。不断增加的复杂性和困难在扩展更多的负担推给建筑师处理从复杂的电源方案,新的包装方法,…»阅读更多

BEOL问题10 nm和7海里(第1部分)
通过埃德·斯珀林12月- 15,2016 -评论:5

半导体工程坐下来讨论问题的线在前沿和克雷格的孩子节点,高级经理、副主任(getentity id = " 22819 " e_name = " GlobalFoundries”]先进技术开发集成单元;高级技术总监保罗•贝瑟(getentity id = " 22820 "评论=“研究”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name……»阅读更多

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