标签:BEOL

演示的功能虚拟晶片过程建模和虚拟计量
通过技术论文链接- 7月27日,2023 -评论:0

技术论文题为“回顾虚拟晶片过程建模和计量先进技术发展”是由研究人员发表Coventor Inc .,林的研究。文摘:“半导体逻辑和内存技术发展继续推动过程复杂性和成本的限制,尤其是在产业迁移到5 nm节点和超越。优化p…»阅读更多

腐蚀过程推向更高的选择性,成本控制
通过劳拉·彼得斯——5月18日,2023 -评论:0

等离子体蚀刻也许是最重要过程在半导体制造,和可能是最复杂的工厂操作光刻旁边。将近一半的工厂步骤依赖于等离子体,一个充满活力的电离气体,做他们的工作。尽管微型晶体管和记忆细胞,工程师继续提供可靠的腐蚀过程。“可持续地创造芯片…»阅读更多

新的低温增长与制造技术允许2 d材料直接到硅集成电路(麻省理工学院)
通过技术论文链接2023年5月- 05 -评论:0

新技术论文题为“Low-thermal-budget合成单层二硫化钼的硅back-end-of-line集成在一个200毫米平台”由麻省理工学院的研究人员发表,橡树岭国家实验室,爱立信研究。据麻省理工学院的新闻文章:“越来越多的2 d材料直接到硅CMOS晶片构成了重大挑战,因为这个过程你……»阅读更多

线边缘粗糙度(l)如何影响半导体性能先进的节点?
通过玉德陈——2022年9月26日-评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素,限制了芯片的性能先进节点[1]。小金属球需要窄线CD和线间间距,介绍高金属线路电阻和线间电容。这是显示在图1中,它显示了一个模拟线路电阻与直线CD不同BEOL金属。即使没有……»阅读更多

详细的射频特性超薄氧化铟晶体管
通过技术论文链接9月- 13,2022 -评论:0

新技术论文题为“记录射频性能的超薄氧化铟与Buried-gate晶体管结构”由普渡大学的研究人员发表和赢得了2022年的设备研究会议最佳学生论文奖(2022年刚果民主共和国在六月举行)。这普渡大学新闻发布会上说,“在这部作品中,无线电频率(RF)性能的氧化铟晶体管w……»阅读更多

新材料新设备打开大门
通过凯瑟琳德比郡- 7月21日,2022 -评论:0

将2 d材料集成到传统的半导体制造过程可能是一个更为激进的芯片产业历史上的变化。虽然有痛苦与半导体制造的任何新材料的引入,过渡金属dichalcogenides (tmd)支持各种新设备的概念,包括BEOL晶体管和单-…»阅读更多

BEOL叠加的新方法和过程描述
通过PDF的解决方案- 07年6月,2022 -评论:0

本文提出了一种新的方法,设计检查(DFI)叠加的特点。使用design-assisted电压对比测量,该方法使在线测试和监测过程诱导OVL和CD端行(BEOL)特性的变化与litho-etch-lithoetch(乐乐)模式。仅有的一些特性多色图案方案选择对齐d…»阅读更多

顶部:有足够的空间想象小型机电开关在低功耗计算应用程序
通过Gerold Schropfer——5月19日,2022 -评论:0

第一个发明了计算机使用机电组件,不像今天的现代电子系统。阿兰·图灵的密码分析乘数和Konrad Zuse的Z2发明并建造了上半年的20世纪,和是第一批电脑。机电开关和继电器执行逻辑操作这些机器。即使电脑……»阅读更多

BEOL集成为1.5 nm节点和超越
通过Assawer苏苏- 4月25日,2022 -评论:0

当我们接近1.5 nm节点,将新的BEOL设备集成挑战。这些挑战包括需要较小的金属球,以及对新流程的支持。流程修改提高钢筋混凝土性能,减少边缘位置错误,并使具有挑战性的制造过程都是必需的。为应对这些挑战,我们调查了th…»阅读更多

隐藏安全密钥使用ReRAM PUFs
通过凯瑟琳德比郡- 4月21日,2022 -评论:2

电阻RAM和身体unclonable函数(PUFs)已经获得牵引出于完全不同的原因,但是当他们创建一个非常安全的和廉价的方式存储身份验证密钥。因为安全问题从纯粹的软件转移到硬件和软件的结合,芯片制造商和系统公司一直在努力找出如何预防…»阅读更多

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