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分栅fet (sg - fet)


这篇题为“用于NAND和NOR逻辑电路应用的纵向和纵向裂门场效应晶体管”的技术论文由首尔仁荷大学(韩国)和韩国科学技术研究院(KIST)电气与计算机工程系的研究人员发表。摘要二维(2D)材料已广泛应用于各种领域。»阅读更多

新材料为新设备打开大门


将二维材料集成到传统半导体制造工艺中,可能是芯片工业历史上最根本的变化之一。虽然在半导体制造中引入任何新材料都会带来痛苦和痛苦,但过渡金属二硫化物(TMDs)支持各种新的器件概念,包括BEOL晶体管和单…»阅读更多

3新兴技术:忆阻器,自旋电子学和2D材料


伦敦大学学院和剑桥大学的研究人员发表了题为“记忆、自旋电子和基于2d材料的设备以改进和补充计算硬件”的新技术论文。“在数据驱动的经济中,几乎所有行业都受益于信息技术的进步,强大的计算系统对快速技术更新至关重要。»阅读更多

神经形态计算:挑战,机遇,包括材料,算法,设备和伦理


这篇题为“2022年神经形态学计算和工程路线图”的新研究论文是由丹麦技术大学、塞维利亚Microelectrónica研究所、CSIC、塞维利亚大学等众多研究人员撰写的。部分摘要:“本路线图的目的是呈现神经形态技术现状的快照,并就挑战提供意见。»阅读更多

一周回顾:制造,测试


节点扩展战争正在加速,尽管大部分行动发生在大多数人看不到的地方——研究实验室里。这是很困难的事情,这使得交付日期很难确定,没有人愿意放弃他们的竞争地位或承诺一个他们无法遵守的时间表。数十亿美元的前沿研究-由纯晶圆代工台积电,IDM…»阅读更多

费米能级调谐提高非晶栅极氧化物二维晶体管的器件稳定性


新的技术论文题为“通过费米级调谐提高二维晶体管非晶栅极氧化物的稳定性”,来自微电子研究所,维也纳,AMO GmbH,伍帕塔尔大学和亚琛工业大学的研究人员。“基于二维半导体的电子器件的电稳定性受到限制,因为载流子起源于…»阅读更多

晶圆级忆阻器阵列的可扩展制造方法


新加坡国立大学和新加坡高性能计算研究所的研究人员发表了题为“用于基于内存计算的晶圆级解决方案处理的2D材料模拟电阻存储器阵列”的新技术论文。基于二维半导体的高密度、可靠的电阻随机存取存储器的实现是二维半导体发展的关键。»阅读更多

两种新型vdW材料的电子、热力学和介电性能


新的技术论文题为“单层Ca(OH)2和Mg(OH)2的电子、热力学和介电性质的第一性原理研究”,来自德克萨斯大学达拉斯分校。在国家科学基金会和美国国防部、国防威胁减少局的资助下。摘要“我们执行第一性原理计算,以探索电子,热力学…»阅读更多

二维磁性材料研究现状与未来发展


摘要:二维(2D)范德华(vdW)材料中的磁性最近成为凝聚态研究中最有前途的领域之一,具有许多令人兴奋的新特性和巨大的应用潜力,从拓扑磁元学到低功率自旋电子学、量子计算和光通信。在他们被发现后的短暂时间里,2D…»阅读更多

碲作为二维半导体元素的复活


石墨烯的蓬勃发展引发了对新型元素范德华材料的广泛探索,这得益于其理论建模的简单性和材料生长的容易获取性。VI族元素碲是一种非故意p型掺杂的窄带隙半导体,具有一维手性原子结构,有望用于下一代电子、电子、电子、电子、电子等领域。»阅读更多

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