新的研究论文题为“映射硅/锗硅nanosheet设备机械响应的几何图形”从IBM T.J.沃森研究中心的研究人员和布鲁克海文国家实验室。由美国能源部。
文摘
“下一代的性能,纳米电子设备依赖于精确的应变在组成材料的理解。然而,这些固有的灵活性增加三维几何图形设备需要变形的直接测量。在这里我们报告同步x射线diffraction-based无损纳米硅/锗硅nanosheets gate-all-around结构的映射。我们确定了两种竞争机制在不同长度尺度导致变形。一是符合平面弹性弛豫由于Ge晶格失配与周围的Si。第二个是与硅和锗硅区域的出平面分层膜厚度的长度范围内。互补的机械变形的建模证实定性方面资料观察各种nanosheet样品的宽度。然而,更大的变形观测的锗硅层nanosheets比预测分布。这些见解可以扮演一个角色在预测未来设备的载体的机动性。”
找到开放获取这里的技术论文。2022年6月出版。
穆雷,刚建成时燕,H。破旧,c . et al .映射硅/锗硅nanosheet设备机械响应的几何图形。Commun Eng 1, 11 (2022)。https://doi.org/10.1038/s44172 - 022 - 00011 - w。
进一步阅读:
3纳米晶体管达到临界点
Nanosheets是最有可能选择在这十年中,与CFETs和其他奇异的结构成为可能。
搬到棉酚场效应晶体管
为什么finFETs精疲力竭了,接下来会发生什么。
集成电路制造过程发生根本性转变
重点从速度可靠性和定制,各种流程步骤放缓和改变当他们完成;边缘化设备获得牵引力。
这里访问半导体工程技术论文库和发现更多的芯片行业学术论文
留下一个回复