反思2015年

很容易做出预测,但很少人能让他们与任何程度的准确性。大多数时候,这些预测由今年年底被遗忘,没有人做一个统计明年更多的信誉。不与半导体工程。我们喜欢人的脚,虽然“裤子着火了”米可能适用于政客,我们想以更积极的姿态。

如果你想更新你的记忆的预测,他们分类下新市场,工具和流,生产和包装,设计。在每种情况下,最初的评论是插入斜体,通常压缩,后反射。并不是所有的贡献者选择提供评论他们的预测。

格雷厄姆·贝尔,负责营销的副总裁真正的意图通过预测开始做事了“2015年半导体业务约5%至7%的增长12%,纯粹的铸造业务,这纯粹铸造台积电2015年增长速度将高于行业平均水平,其业务将超过所有其他纯粹铸造厂的总和。”

市场停滞在年中显著。半导体增长将0 + / - 1% 2015年整体和铸造部门将增长约5%。

他的预言成真,台积电将增长速度比行业平均水平和其业务在2015年将超过所有其他纯粹铸造厂的总和。尽管经济逆风,IC见解预计,台积电将在2015年增长11%。台积电拥有55%或278亿美元,501亿美元的铸造行业,建立了自己的市场主导地位(再一次)。

有很多预测28 nm。Marco Casale-Rossi设计群内的产品营销经理Synopsys对此说,“28 nm将有一个非常非常长的寿命。通过FD-SOI这将得到加强,这可能是一个非常令人信服的解决方案如果由铸造厂。”他还说,“10%的设计开始将在28 nm,低于2015年。”

实际上,只有不到10%的设计开始在28 nm,低于2015年,但40%的硅房地产在2015年生产28 nm和下面。活跃的技术节点的范围扩大,采用变得不对称。铸造厂是扩大提供28 nm,正在22 nmFD-SOI。事实上,22纳米的平面,而不是28 nm是最后单井网技术节点,与预期还会有一个为FD-SOI平面节点。然而,猜猜技术节点,根据肠易激综合症,会继续有最多的设计开始在接下来的十年?180海里,每年25%的设计开始从现在到2025年。

另外两个Synopsys对此退伍军人,丰富的高盛,以前在公司企业营销的副总裁,和Navraj Nandra,目前高级营销主任DesignWare模拟和混合信号IP,添加一些推理。Nandra表示,“这里的趋势是,一些SoC开发人员保持28 nm而不是移动finFET由于成本或改良他们的EDA技术知识产权流。”

28 nm节点的需求仍在继续,由应用程序(如低端智能手机,“行动”相机、机顶盒、数字电视和SSD。帮助区分,增强版本的28 nm节点被提供给市场,满足更高的性能和更低的电力需求等新兴应用的智能手表。这方面的一个例子是台积电的28个hpc +技术。集成电路ADAS等汽车需求和信息娱乐可能是28 nm或finFET候选人在2020年。其中一个原因是,一旦汽车芯片设计团队已经决定流程节点,资格的过程,包括老化比消费设备需要更长的时间,从而延长生命的过程。

并不是所有的焦点将在28 nm,然而。汽车和物联网(物联网)延长的生命“建立节点”选项thick-oxide库等泄漏改进,提高电迁移在互连性能,和嵌入式flash, 90海里,55岁和40 nm。finFET的领域,而生产tape-outs现在发生,最有趣的发展在2015年宣布“紧凑”祭台积电和三星——把一个点的成本,加速finFET的举动。

“高风险、高回报的过渡到新节点16/14nm将很快转移到10纳米,然后7海里,“观察Chi-Ping Hsu,高级副总裁,首席战略官EDA节奏。

有超过100家公司finFET技术的设计,很显然,比赛进入最先进的工艺技术并没有放缓一些预测。加上7海里发展重大进展(5海里初步结果已经进来)和贪新功能的集成,这一趋势将继续快速前进。

贝尔看着他将发生什么内存行业。“我们将会看到在批量生产三星16/14nm后发展出,随后在今年年底微米和SK海力士。快闪记忆体,我们看到一个更激进的路线图,与已经在16/14体积。过渡到12/10nm过程将在2015年底。”

NAND过程路线图从TechInsight证实了他的一些预测为2015。对3 d与非闪光2015年,三星宣布批量生产的内存堆栈共48个细胞,和这种发展证实了正轨。已经在16/14 nm节点体积。

从TechInsight NAND过程路线图

为动态随机存取记忆体过程路线图贝尔预测三星将在批量生产16/14nm后发展出,随后在2015年底由微米和SK海力士。微米有望支持1 x节点根据下面的图形。

微米技术路线图,2015年8月

有障碍到这些新节点。总裁兼首席执行官Solido设计自动化说,“制造业变化将在2015年成为日益凸显的问题。确保优化设计,开发团队将重点解决越来越多的变化问题,和减少所需的模拟。”

变化在sub-16nm确实成为一个必须解决的问题。本地模拟或不匹配静态存储器在设计过程中需要考虑。试图进行收益分析后事实是太迟了。也有强烈的兴趣EM / IR分析在块级深设计节点。这里也有兴趣发现早期故障,如在布局阶段,确保没有遗漏通过导致一个热点。

包装
许预言“PCB之间的线,包,插入器,芯片被模糊。“许正在寻找设计环境和分析工具,cross-fabric结构可以创建和优化。

在包装领域加速了创新的机会。集成通过新工艺技术并不是唯一途径实现集成目标。只是打开一些最新的产品,你就会看到奇迹multi-die集成的硅基板和多层灵活的互连。这些multi-fabric结构驱动的快速采用电力和信号完整性分析工具。

新类的设计工具被用来提供一个齐次解异构问题。2016年,期望相同的快速增长。

许还预言“铸造入侵OSAT(外包组装和测试)空间与硅基已经开始2.5 d插入器技术,通过在矽(TSV)3 d死亡堆积产品。随着球得到细硅有机基质和定价选项归结,铸造厂和OSATs将创新疯狂争夺支配地位。”

铸造厂越过一些关键成本障碍2015年高速、high-pin-count multi-die集成产品。Wafer-level扇出解决方案现在实际从成本的角度对各种产品。传统OSATs了基础设施投资自己的扩展及更好的和更精细的制造能力。也一直在增加客户定制功能,使产物达到更理想的形式因素。系统公司的兴趣已经见顶,结果是创新chip-package-interconnect-board频谱。

市场和政治
贝尔做了一个有趣的预测基于与中国的关税。他说,“中国当然希望推动中国高科技行业。然而,联想和华为等大公司,总部设在中国发现自己处于劣势时,在产品成本与外国企业竞争。这都依赖于进口集成电路来构建自己的系统。”

贝尔继续,这将有利于大型电子系统公司,但这“与客户转向外国供应商,可以提供更多的尖端的过程,中芯国际可能会被迫与另一家领先的单一业务整合铸造。”

这种经济转型往往导致赢家和输家。他建议一个大输家可能是中国半导体行业。中芯国际是中国领先的铸造,约40%的业务来自国内客户。dollars-per-wafer方面的收入远低于其他主要铸造厂,因为它超过80%的业务都是几何图形大于45纳米。如果客户转向外国供应商能够提供更尖端的过程,中芯国际可能被迫合并与另一个赤手空拳的铸造。这并没有发生。1 h2015,中芯国际的收入上升了9%,毛利率提高到30%。高级节点低于45纳米,他们今年的增长预计将超过2014增长66%,根据IC的见解。

底线,对于消费者来说,好消息是,所有这些科技产品在2015年中国制造成本更少。这是强势美元的情况。例如,有很多低成本竞争四核笔记本价格区间在200美元。

设计
的技术是如何使用的,许预言2015年将是一个分水岭,指出“年很少提供一个翻天覆地的技术时刻但他们更有可能代表以各种方式长期的劳动成果。”

2015确实产生长期的劳动成果。EDA-IP-semiconductor生态系统合并成一个紧凑、更有凝聚力的、高效的结构。这个生态系统最初专注于个人的世界。然后转移到使基础设施的时代创新和部署,然后移动,现在的初期阶段可穿戴技术的一个巨大的和令人兴奋的时代。经过几十年的设置阶段,不久的将来将看到一个极富推出的功能,利用过去的投资。

从CES看创新奖项的赢家在各种类别,例如,有一个有趣的数组提供的想法,建立新的扭曲的想法或引入全新的思想在第一代阶段。这些新的创新分支将推动经济增长的数量。

的首席执行官Breker,发现一个设计趋势。“系统芯片(SoC)与一个处理器正在多个处理器缓存一致性。一致性需要CPU集群之外,gpu, DMA引擎,应用处理器和I / O设备将在某种程度上都是一致的。三级缓存将主导,所有片上公交车、互联和片上网络将支持缓存一致性。”

这已经被证明是许多soc和几个甚至几十个处理器已经宣布,几乎所有与多级缓存。许多IP供应商提供互连总线和织物今年cache-coherent版本发布。结果是一致性验证目前SoC集成商的问题,不仅仅是CPU设计师。

许补充说,“一个关键的变化将从远离中央处理单元(CPU)为中心的架构方法集中在流的数据。”

看着soc处理器单元的数量,我们可以看到,2015年提供了多核的延续,GPU和DSP架构。快速的处理器和小配对(如手臂big.LITTLE)与指令集兼容,变得非常受欢迎。如此专业,可编程处理器执行单元和指令集进行优化。这些定制的处理器是很难找到当今电子产品。好专用处理器的例子可以发现在汽车ADAS的应用程序。数据中心是活跃的建筑创新的另一个很好的例子,专门的处理器是嵌入式soc和fpga。

这个反思2015的下一部分将继续通过观察系统的复杂性预测工具和流程的设计。