文摘:
Rowhammer是一种基于内存的攻击，利用电容耦合在现代动态随机存取存储器(DRAM)中诱发故障。在过去的十年中，大量Rowhammer攻击显示，这是一个严重的安全问题，能够导致特权升级，发起分布式拒绝服务(DDoS)攻击，甚至运行时攻击，如控制流劫持。此外，Rowhammer漏洞也在云计算和数据中心环境中被识别和验证，大规模威胁数据安全和隐私。针对Rowhammer攻击已经提出了各种解决方案，但现有方法缺乏对现代dram中电容耦合现象的电路级解释，而电容耦合现象是Rowhammer攻击的关键原因。
在本文中，我们建立了一个dram中电容耦合漏洞的分析模型。我们彻底分析了数学模型中导致Rowhammer漏洞的所有参数，并通过真实的DRAM测量对其进行量化。我们对来自不同制造商的各种DRAM品牌的不同属性验证了该模型。通过我们的模型，我们重新评估了现有的Rowhammer攻击DDR3和DDR4内存，包括最近开发的TRRespass攻击。我们的分析提出了一个新的Rowhammer攻击洞察，并将指导该领域未来的研究。”
找到技术文件链接而且在这里(IEEE Xplore)。2021年12月出版。
蒋宇，朱海红，D. Sullivan，郭旭光，张旭光，金勇，“基于Rowhammer漏洞的DRAM安全量化”，2021年第58届ACM/IEEE设计自动化会议(DAC)， 2021, pp. 73-78, doi: 10.1109/DAC18074.2021.9586119。
参观半导体工程技术论文库并发现更多芯片行业的学术论文。
留下回复