最新的SiC设备的优势相比,功率模块遗留Si igbt对现代电力电子应用程序。
转向电力的广泛应用,包括发电、能源储存和运输,需要建立更高的性能电力转换和控制系统来推动电动系统的未来。这样做,有一个更大的更紧凑的需求,更高的功率密度,和高温运行功率模块。
直到最近,电源模块市场主要由硅绝缘栅双极晶体管(Si igbt)。需求的转变,专注于更好的性能使得这些遗留模块不理想的高功率应用,导致硅carbide-based电力设备的崛起。新的SiC组件能够提供更高的电压和电流性能(功率)比硅同行更少的空间,使高功率密度模块以最小的寄生和高温操作。
本文旨在教育权力的工程师和专业人员的优势相比,功率模块最新SiC设备遗留Si igbt对现代电力电子应用程序。比较两种技术的概述,以及展示最新的功能完整的碳化硅功率模块在三相逆变器参考设计应用程序。
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