在SiC mosfet短路强度


Trench-based碳化硅功率场效应管(金属氧化物半导体场效应晶体管)代表一个戏剧性的改善品质因数(FOM)值的功率转换开关设备。结果,优秀的系统性能,实现更高效率、功率密度,降低了系统成本对于许多应用程序。今天,主要的目标应用程序的年代……»阅读更多

新碳化硅功率模块提供更大的功率密度比Si igbt在较小的包


转向电力的广泛应用,包括发电、能源储存和运输,需要建立更高的性能电力转换和控制系统来推动电动系统的未来。这样做,有一个更大的更紧凑的需求,更高的功率密度,和高温运行功率模块。联合国…»阅读更多

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