创新节能的CMOS技术的晶片
持续的吸引力和竞争力的先进电子设备,如智能手机、电视、笔记本电脑或平板电脑,半导体行业正在“完全耗尽”构建集成电路晶体管技术。这种技术有两种形式:平面和tri-dimensional (FinFET),每个都有自己的优势和挑战。本白皮书解释了创新的晶片,硅片的基础,将扮演一个角色启用或促进平面的引入和non-planar完全枯竭的技术方法,从28 nm节点。它还概述了好处,用户可以期待。
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学术界、业界伙伴关系斜坡来诱使大学生硬件工程。
球继续减少,但是需要新的工具和技术。
埋藏特征和凹角几何图形驱动应用程序特定的计量解决方案。
问题包括设计、制造、包装、和可观察性都需要解决这种方法成为主流之前对于许多应用程序。
蚀刻工具变得更特定于应用程序的,每个新节点要求更高的选择性。
术语往往交替使用时,他们非常不同的技术和不同的挑战。
技术和业务问题意味着它不会取代EUV,但光子学、生物技术和其他市场提供足够的增长空间。
商业chiplet市场仍在遥远的地平线,但公司更早起有限的伙伴关系。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
如何定制、复杂性和地缘政治紧张局势颠覆全球现状。
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
半导体制造的关键支点和创新点。
工具成为硅/锗硅堆更具体,3 d NAND和保税晶片对。
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