在显影后检查(ADI)和蚀刻后检查(AEI)期间，通过LCDU测量了EUV抗蚀剂厚度对<30nm的影响。
本文通过显影后检验(ADI)和蚀刻后检验(AEI)的局部临界尺寸均匀性(LCDU)测试，描述了极紫外(EUV)抗蚀剂厚度对<30 nm的影响。对于相同的刻蚀后CD靶，将抗蚀膜厚度从40 nm增加到60 nm有助于降低CD变异性。这项工作通过使用covenor的SEMulator3D软件进行虚拟制造，并通过实验进行了验证。通过考虑光刻剂量和焦点在模型中的变化，引入了光刻后和蚀刻后CD变化。光刻和蚀刻模型分别使用来自HyperLith和蚀刻后截面扫描电子显微镜(XSEM)图像的3D抗蚀剂轮廓模拟进行校准。
点击在这里阅读更多。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下回复