的最后一个前沿提高收益率外10毫米。
芯片制造商想要晶片生产的每一部分,或收益,好死。进步过程技术多年来做了这个现实,即使功能维度继续萎缩和设备变得越来越复杂。
现在,最后一个前沿是提高产量在晶片的边缘——外10毫米左右,化学,物理,甚至热断层只是更难控制。复杂化、当前策略用于管理这些边缘问题涉及产量和生产成本之间的权衡,结果在不到理想的工厂的经济学。
边缘的挑战
近距离观察晶片边缘,在~ 10%的死亡可能是,有几个问题在起作用,会影响产量。在等离子体蚀刻反应堆,晶片表面的突然结束创建固有电不连续边缘地区,形成电压梯度,弯曲的等离子体鞘。反过来,这变化的方向等离子体的组件(离子和中性)、影响腐蚀的结果,导致不必要的可变性。3 d的NAND闪存设备,例如,这种变化在等离子体条件下的晶片边缘会造成倾斜腐蚀资料或者防止功能完全蚀刻。除了影响倾角,这些边缘效应会导致不均匀临界尺寸(CDs)或局部覆盖指标的变化。
另一个挑战是这个过程随着时间的漂移创建CD均匀性和选择性问题。作为一种方法来管理这个,芯片制造商经常添加更多室湿清洗恢复设备到一个标准的条件。然而,这种方法可以显著减少生产力因为商会不是用于加工晶圆在这个维修。此外,随着过程的利润率变得更严格,需要更频繁的湿清洁,增加运营成本。
解决方案是消除极端边缘不连续和增强边缘的性能,这是通过优化等离子体鞘边缘产生一个常数,用户定义的腐蚀速率和离子角。例如,腐蚀速率可以调快或慢速度优势相对于其他晶片。
与3 d NAND闪存应用程序,这将防止有害特性在晶片边缘倾斜。调到1.5毫米的边缘,林的乌鸦座技术可以纠正内在过程变化以及边缘地区传入的电影优化模具产量变化。此外,它允许每个晶片看到相同的边界条件最优产量,消除以前见过系统的薄片产生变化。
这不仅提高了across-wafer均匀性,还大大减少了薄片和chamber-to-chamber可变性和消除了历史收益率之间的权衡,运营的灵活性和成本。客户报告死亡每晶片产量提高0.5%至2%,这可以是一个很大的优势,特别是当你考虑每天成千上万的晶圆芯片制造商如何处理。此外,该技术能够提供更高和更一致的长期收益。这也将极大地提高开发效率,并且降低了工厂的总体运营成本大批量生产要求少室湿清洁。新技术被用于先进的模式,面具,和其他具有挑战性的导体蚀刻应用降低CD的变化,形象,或选择性和提高生产力帮助使继续扩展。
乌鸦能源公司提供的新功能补充林的九头蛇技术,使微调within-wafer一致性,积极弥补传入的变异。在一起,这些先进的过程控制技术是减少可变性在整个晶片表面,提高产量,使新一代逻辑和内存设备的生产。
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