标签:临界尺寸

更快的收益率坡道策略5 nm芯片
通过劳拉·彼得斯4月- 12,2022 -评论:0

主要芯片制造商台积电和三星在高容量生产5纳米设备生产和台积电它正在稳步推进计划年底前前3纳米硅。但以满足这种积极的目标,工程师必须确定缺陷和斜坡产生的速度比以前更快了。对付EUV随机缺陷——无重复模式的缺陷,如微桥断了线,或失踪……»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法
通过布鲁尔科学8月19日,2021 -评论:0

的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于发展……»阅读更多

加快研发计量过程
通过马克LaPedus- 7月16日,2020 -评论:0

一些芯片制造商正在一些主要的变化表征/计量实验室,增加fab-like过程在这组帮助加速芯片开发时间。描述/计量实验室,通常根据雷达,是一组,研发组织和工厂使用。描述实验室参与了早期的分析工作next-generati……»阅读更多

分级芯片寿命更长
通过埃德·斯珀林2020年3月- 10 -评论:0

如何级芯片正变得更加困难,因为这些芯片是用于应用程序,它们应该持续几十年而不是几年。在制造业、半导体通常通过一个电池运行的测试性能和力量,然后据此定价。但这不再是一个简单的过程几个原因……»阅读更多

光刻技术挑战扇出
通过马克LaPedus2019年2月- 12(-评论:3

密度高扇出包路由层较好的转向更复杂的结构,所有这些需要更有能力的光刻设备和其他工具。最新的高密度扇出包迁移向1µm线/空间屏障,这被认为是该行业的一个里程碑。在这些关键尺寸(CDs),扇出将提供更好的每…»阅读更多

覆盖的挑战在上升
通过马克LaPedus- 2017年11月16日-评论:2

覆盖计量设备市场升温高级节点作为掩蔽层数量的增加和规模的功能需要对齐继续萎缩。ASML和KLA-Tencor最近推出了新的(getkc id = " 307 " kc_name =“叠加”]计量系统,寻求解决线路所需的精度提高,削减和其他功能在每个层。10点/……»阅读更多

控制均匀性的优势
通过亚伦的普尔- 10月19日,2017 -评论:0

芯片制造商想要晶片生产的每一部分,或收益,好死。进步过程技术多年来做了这个现实,即使功能维度继续萎缩和设备变得越来越复杂。现在,最后一个前沿是提高产量在晶片的边缘——外10毫米左右,化学,物理,甚至热discontinuitie……»阅读更多

利用先进的统计分析改善FinFET晶体管性能
通过吉米顾- 9月21日,2017 -评论:0

试验和错误晶圆通常用于研究过程变化的影响在FinFET和其他先进的半导体技术的发展。由于上游单位的互动过程参数(如沉积保形性,腐蚀各向异性、选择性)在实际制造、基于过程变化可以高度复杂的变化。过程模拟器t…»阅读更多

模式问题堆积起来
通过马克LaPedus3月- 20,2017 -评论:4

芯片制造商增加16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里现在进入早期生产。但在10纳米,芯片制造商正面临着一系列新的问题。而萎缩的特征尺寸的设备到10纳米,7海里,5海里,也许除了使用当前和未来可能的工厂设备,似乎没有一个简单的方法来解决边缘位置误差(EPE)…»阅读更多

下一个挑战:接触电阻
通过马克LaPedus——6月23日,2016 -评论:0

在芯片扩展,没有短缺的挑战。扩展finFET晶体管和互联设备当前和未来面临的最大挑战。但是现在,还有另一个设备的一部分,是成为一个问题。通常,联系没有得到太多的关注,但业内人士开始担心接触电阻,或帐目…»阅读更多

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