迫在眉睫的互连问题减轻了20 nm和低于新材料介绍。
芯片制造商的大问题是一个关键部分的制造流backend-of-the-line (BEOL)。
在芯片生产,BEOL就是互联装置内形成。设备互联,那些微小的布线方案,在每个节点越来越紧凑。反过来,这导致性能和降解是一个可怕的阻容(RC)延迟增加筹码。
RC延迟多年来一直关注的话题,但不会消失的问题。事实上,他们在20 nm节点恶化。
解决问题的一部分,应用材料宣布Endura Volta CVD钴系统。两个启用应用程序系统中,保形钴班轮和选择性钴覆盖层,提供完整的外壳的铜线,可靠性提高了一个数量级。
钴作为金属封装膜的引入标志着最重要的材料改变互连在超过15年,国王的故事说,全球产品经理在应用材料。
“当我们去20海里,我们只是跑出房间。没有办法建立任何冗余的设计方面。这意味着,即使其中一些结构不正确了,开始变得相当戏剧性的收益率的影响。”她说。
20 nm,该行业将需要更改的流程。“在今天的互联,我们开始看到其他的挑战,如高电流密度。随着电流密度增加,其他二级电效应开始占主导地位,”国王说。“为了解决电气互连技术方面,我们正开始看到了新材料的需要。”
Endura Volta CVD系统包括两个新的流程步骤。第一步包括沉积薄,保形CVD钴班轮增加铜的缺口填满窗口狭窄的互联。这个过程提高了性能和产量的设备通过整合pre-clean, PVD障碍,CVD衬管和铜钴超高真空下种子的过程在同一平台。
第二步,一个新的“选择性”CVD钴限制步骤中,沉积在CMP封装可靠性增强性能的铜线。完整的包铜线与钴创建一个工程界面,显示在80 x提高设备可靠性。
“应用独特的化学汽相淀积钴流程代表一个创新materials-enabled扩展解决方案,“说Sundar需要副总裁和总经理的金属沉积在应用材料的产品。“这非常满意这些材料和流程创新发展近十年正在通过我们的客户为他们的高性能移动和服务器芯片。”
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