从识别热点到个性化优化方案，了解芯片内部发生了什么非常重要。
1913年，当第一辆汽车从亨利·福特的生产线上下线时，他已经预见到了汽车将会变得多么多产。然而，他能预见到监控器和传感器对现代内燃机的重要性吗?
在大批量生产的汽车中，对能源效率、动力性能和可靠性的要求导致监测和传感器系统的数量和复杂性增加，以便管理动态条件和了解每个发动机是如何制造的。基于同样的原理，芯片内监控器将继续存在。
了解动态条件(电压供应和结温)以及了解芯片是如何制造的(工艺)已成为先进节点半导体设计的关键要求。因此，我们不仅要习惯片内监控器和传感器，还要了解它们解决的问题以及良好的片内监控器的关键属性是什么。
以下是芯片内监控在40nm、28nm、16nm、12mm和7nm等低几何设计技术上继续存在的五个原因。
1.门密度
增加门密度的好处通过允许在特定区域增加电子设备的复杂性来驱动现代世界。然而，栅极密度的增加会导致更大的功率密度，从而导致芯片内部的局部加热或热点。密度的增加也导致馈电电路的供电电压下降更大。贯穿芯片设计的高精度温度传感器和电压供应监视器将使系统能够管理和适应这种情况。
2.产品差异化
利用在整个设计中激增的高精度监控器和传感器将使产品在市场上具有领先优势。当然，半导体设计团队将根据产品功能和其他“铃声和口哨”来评判，但同样重要的是可靠性和与竞争对手的可比性。
3.接受更大的芯片工艺变异性
随着几何尺寸的缩小，每个半导体器件制造方式的可变性也在扩大。我们已经讨论了了解芯片上电压和温度的动态条件如何变化的好处，但每个器件如何制造的固定条件如何呢?过程监控，从而确定数字电路的速度，它们如何对动态变化做出反应，以及它们如何老化，将允许优化和补偿方案，最大限度地利用每个特定芯片的制造方式。
4.增加可靠性
汽车和电信行业对电子故障天生的不容忍，现在正蔓延到企业和消费者领域。准确的监测允许故障检测和寿命预测，主要是通过感知电路应力的主要贡献者，如长时间的高供电电压和局部热加热对电迁移的影响。
5.跨时代设计改进
了解您最近的1000万个半导体器件在其生命周期内是如何为市场应用服务的，这是您下一代产品设计的关键信息。你们的终端客户如何使用你们的设备?这将允许设计师通过理解他们所处的环境条件，适当地容忍他们的设计“下一次”。
总之，我们应该做好准备，我们对更多芯片内信息的渴望，而不仅仅是数据，以区分产品，这将导致监控和传感系统的发展超出我们今天的预测。可以肯定地说，芯片内监控，特别是对于先进的节点技术，将继续存在。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下回复