来自芯片节拍的笔记

在过去的几个月里，我参加了许多会议，如IEDM、SPIE、FD-SOI峰会等。在每一次会议上，都有大量令人眼花缭乱的信息和数据。最终，一些信息会变成一篇文章，而大多数则会被埋在记者的笔记本里。

无论如何，根据过去几个月发生的这些事件和其他事件，我总结了以下五点看法:

六倍的模式吗?
在10纳米和7纳米技术上，芯片制造商正在扩展光刻技术和多重制版技术。对于7nm，许多人将使用自对准四重模式(SAQP)来处理关键特征。

但在7nm/5nm，一些人希望插入极紫外(EUV)光刻作为一种手段，以减少制模步骤和成本。在5nm处，需要EUV。但如果EUV在7纳米和/或5纳米还没有准备好呢?

为了以防万一，业界一直在玩弄八元组(8)模式。然而，大多数人认为，使用光刻技术的自对齐八元组图案(SAOP)太复杂了。叠加是一个令人头疼的问题。

在各种活动中，我也听到过关于六组模式的传言。事实上，在过去的几年里，已经有几篇关于自对齐六元组模式(SASP)的论文被提出。目前还不清楚该行业是否在这方面投入了大量资源。但如果它们是，SASP将为EUV提供一个过渡步骤，或者进一步推动EUV的发展。也许SASP只是一厢情愿的想法。请继续关注。

更多的是加工香料而不是顾客。
这个行业似乎出现了脱节。在高级节点上，芯片制造商提供的处理器数量似乎超过了客户的实际规模。根据International Business Strategies的最新统计，目前约有300家28纳米及以上工艺的代工客户，而10纳米/7纳米工艺的代工客户约为10家。

与此同时，提供的节点越来越多。一些晶圆代工厂商正在采用传统的尖端工艺，例如10nm和7nm。然后，GlobalFoundries在混合物中添加了12nm FD-SOI。此外，台积电增加了12nm批量工艺。三星计划推出8nm和6nm工艺。

这些数字加起来不对。芯片制造商能否为所有工艺找到客户还是个疑问。最坏的情况是某些进程将支持一个或几个代工客户。不确定这种模式在长期内会带来任何回报。当然，随着时间的推移，节点名是没有意义的。节点编号说明了一件事，但规格说明了另一件事。

旧的工艺和晶圆厂永远不会消亡。
考虑到28nm及以上工艺的代工客户超过300家，落后的工艺和晶圆厂仍然存在，而且会持续很长一段时间。

模拟就是一个很好的例子，因为许多系统仍然需要这种技术。电源管理ic、RF和其他产品也不需要领先的晶圆厂。

这是一个关键指标，200毫米的需求仍然强劲。联华电子首席执行官颜宝文(Po Wen Yen)在最近的一次电话会议上表示:“在消费和通信领域的趋势推动下，本季度8英寸晶圆厂以及最后一个节点的12英寸晶圆厂的利用率接近满负荷。”“至于我们的8英寸产品，我们已经充分准备好了，以满足客户日益增长的需求。”

FD-SOI能飞吗?
FD-SOI已经进行了几年的工作。GlobalFoundries和三星正在为这项技术提供代工服务。NXP、索尼、ST等公司正在开发基于FD-SOI的芯片。

然而，多年来，由于几个原因，FD-SOI的采用相对有限。首先，SOI晶圆成本较高。客户必须投入大量的设计资源来了解FD-SOI和后偏技术的细微差别。

那么如何才能让FD-SOI渡过难关呢?在最近的FD-SOI活动中，ARM物理设计组营销副总裁Ron Moore总结了这一情况。摩尔在一次演示中表示:“代工合作伙伴已加紧提供制造选择。”

但是EDA和IP社区需要进一步提供更多的工具和方法来帮助实现FD-SOI设计。Moore表示:“我们需要EDA合作伙伴加强合作，帮助我们学习如何实现这一目标，并为我们提供易于使用的实现方法，就像我们目前通过正常流程和Vt选项进行动态电压和频率缩放一样。”“我们需要开始组织自己建立这些物联网参考平台，并进行参考设计。我们需要做硅证明点，让人们说:‘是的，我知道这是真的。是的，我知道它会起作用。是的，我将把它作为我的硅策略的一部分。’”

记忆的回归
今年年初，IC的预测并不乐观。许多人预测，今年集成电路行业的增长将持平或略有上升。一些人甚至预测会出现轻微下滑。

现在，大多数分析师都上调了预期。例如，IC Insights最近将2017年全球IC市场增长预测上调至11%，比最初预期的5%增长了一倍多。

记忆推动着预测。IC Insights表示:“由于DRAM和NAND闪存市场的2017年增长率预测大幅上调，因此有必要进行此次调整。”

“IC Insights目前预计今年DRAM销量将增长39%，NAND闪存销量将增长25%，这些预测都有上涨潜力，”该公司表示。“DRAM市场增长预计几乎完全由DRAM平均销售价格(ASP)大幅上涨37%所驱动，而2016年DRAM平均销售价格下降了12%。此外，NAND闪存的asp在去年下降1%之后，预计今年将反弹并增长22%。”

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