DRAM时间参数,在正常应遵循DRAM操作可以减少执行刷新操作,通过逆向工程内部定时参数system-init时候外部内存控制器可以使用它们与个体激活和预先充电命令,从而减少提供的性能开销自动刷新,同时支持逐行刷新减少计划。
文摘:
“DRAM刷新的开销与每一代密度增加。帮助抵消一些开销,电平设计现代自动刷新命令与DRAM-an高度优化的架构的内部架构,违反了计时规则外部控制器正常运行期间必须遵守和服从。众多refresh-reduction计划手动刷新DRAM的逐行,消除不必要的刷新来改善能源和DRAM的性能。然而,它已被证明,现代自动刷新不符合这些计划,他们通过显式启动和手动刷新指定行预先充电排除了他们利用建筑内部优化可用自动刷新操作。
本文表明,各种DRAM定时参数,应遵循在正常DRAM操作可以减少执行刷新操作,通过逆向工程内部定时参数system-init时候外部内存控制器可以使用它们与个体激活和预先充电命令,从而减少提供的性能开销自动刷新,同时支持逐行刷新减少计划。
通过物理实验和测量,我们发现我们的优化方案降低了tRFC 45%相比已经高度优化的自动刷新机制。这也是节能10%和50%的高性能比未经优化的逐行刷新。进一步评估通过模拟未来16 Gb DDR4设备显示减少tRFC提高了应用程序的性能和能源效率。该技术增强了所有现有的refresh-optimization使用逐行更新的计划,它不需要任何修改DRAM或DRAM协议。”
找到这里的技术论文。
马修,d . M。Zulian E。F。荣格,M。卡夫,K。,Weis C。雅各,B。、&当n (2017)。使用运行时逆向工程优化DRAM刷新。程序的内存系统国际研讨会——MEMSYS 17。
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