工厂工具放缓;GF-Samsung对齐;台积电的新finFET;450毫米还活着。
有更多的工厂工具放缓的证据。事实上,ASML本身发出警报在本周收益电话会议。”ASML指出不确定性有关的时间16/14 nm finFET斜坡在铸造厂(公司客户看到一个延迟技术仍在发展,在我们看来)和3 d NAND,”韦斯顿Twigg说,从Pacific Crest Securities的分析师在一份研究报告。“我们是降低资本支出投影适度(我们之前建模的资本支出增加7%)。在这一点上,我们担心技术transitions-28nm差距16/14nm finFET铸造和平面与非3 d NAND-are设备贷款需求的风险。我们当前的模型项目资本支出为575亿美元,WFE 2014年约为304亿美元。较低的数量将我们2014年估计的风险适度削减,除非需求接回来。”
正如预期的、三星和GlobalFoundries宣布了一项战略合作提供全球14 nm finFET过程技术的能力。这个过程是由三星和授权给GlobalFoundries。
台积电已扩大其finFET线。除了先前宣布finFET,台积电已经推出了一个叫做16-FinFET优先。“16-FinFET +提供了15%的攻击速度…更重要的是改善16-FinFET +提供了30%的总功率降低以同样的速度与16-FinFET相比,”马克·刘说,台积电的联合首席执行官,在一次电话会议寻求α的网站。“第一礼俗tape-outs大约15产品计划在2014年,另一个在2015年大约45。批量生产计划2015年。”
行业推迟了450毫米的技术,但450毫米还没有死在水里。在一次电话会议英特尔首席执行官布莱恩Krzanich表示,450毫米还活着。他说:“我们没有改变。我们说,实际上450年下半年相似这十年,对吧?所以,我们还说。你会看到了,450的开支。这些很长,漫长的程序在多个年。”
半报告说,全球半导体光掩模市场在2013年是31亿美元,2015年预计达到33亿美元。在2012年收缩3%之后光掩模市场在2013年增长了1%。
应用材料已经完成了总成y的超导故障电流限制器(SCFCL)系统的安装和上网测试knapp角落变电站所有和经营,而中央哈德逊气体和电气公司(中央Hudson)在纽约。这SCFCL系统,预计2014年5月开始运作,旨在帮助防止中央哈德逊的电网电气故障带来的潜在威胁。
效果显著已经开始销售新太赫兹光采样系统,TAS7400TS。
瑞萨保持汽车半导体的领导者比赛在2013年,与公司的主导地位在微型元件和逻辑集成电路(IC)帮助它持有市值差距第二名的竞争对手,根据IHS。
三星的Galaxy智能手机的最新成员ups的赌注减少成本和S5的discrete-intensive设计收益率高的物料清单(BOM)的,根据IHS。
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