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自旋对碳材料的问题

如何解决聚合物在高温下的击穿。

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在集成电路制造过程中,spin-on-carbon (SOC)材料构成的重要层多层过程实现更小的特征尺寸。SOC层对光刻、模式转换、衬底整平,和各种各样的其他关键流程。

在选择一个合适的材料的一个关键挑战是,有些流程需要高温,达到高达300°C到500°C,和大多数聚合物在这些高温分解。有几个平台,可以生存,但现在这些材料自身的挑战。这些类型的材料high-temperature-stable聚合物通常在常用有机溶剂溶解性差。聚合物类型好热稳定性往往没有好的缺口填补或整平。SOC层与表层也必须避免混合和维护line-wiggling阻力在模式转变过程中腐蚀。

下表介绍了酿酒商科学的两个高温出类拔萃。

SOC平台1可以用作高温SOC与化学气相沉积(CVD)层之上。交联膜非常稳定,可以在高温过程中达到和超过500°C。它还可以用作标准上旋涂硅hardmask SOC。这个SOC平台1是设计用于在一个多层的过程,展示优秀的光刻性能。

SOC平台2是一个平台设计更好的整平。通过控制表面张力、粘度和交联反应,材料流动的机会在外套和烘烤步骤实现整平。这种材料可以修改改变流动的行为为了不同地形区域基质,如亮视场或暗场,在小特性或大的特性。

这两个材料excel在标准温度和高温应用。他们有耐腐蚀的高碳含量,低膜收缩,和良好的间隙填充属性。



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