标签:整平

光刻的化学工作:Marangoni-Effect-Based单层增强整平
通过布鲁尔科学11月17日,2021 -评论:0

在半导体制造领域,仍有持续的搜索技术来提高临界尺寸均匀性(CDU)晶片。基民盟改善和减少一般有缺陷增加工业产量和保证高可靠性标准。在KrF Dual-Damascene模块集成,在光刻层面,深沟整平是强制性的……»阅读更多

发展区域自旋对碳材料的高温过程
通过布鲁尔科学8月- 20,2020 -评论:0

多层光刻技术是用于先进的半导体工艺复杂的结构模式。随着越来越多的程序包含一个高温的过程,如化学气相沉积(CVD)、耐热材料的需求也在不断增加。对于某些应用程序,一个自旋对碳(SOC)层下生存所需的化学汽相淀积层是通过高温过程……»阅读更多

超级区域材料海沟和通过数组
通过布鲁尔科学——5月21日,2020 -评论:0

由于设备设计尺度和变得更加复杂,好控制模式和转移是不可或缺的步骤。整平的深沟,通过阵列一直是一个挑战。纵横比继续增加,临界尺寸缩小,和典型的海沟填补计划不再能够满足填充和整平的要求。传统设计的自旋对碳(SOC)米……»阅读更多

7点整平挑战纳米
通过埃德·斯珀林12月- 10,2018 -评论:0

执行主任丹•沙利文半导体技术在啤酒科学、深入的挑战区域腐蚀的薄膜在晶片和光学控制。高级节点的问题变得更加困难,因为电影更薄。https://youtu。是/ iNA6EGpoYZU _________________________________看到更多科技在这里视频聊天»阅读更多

自旋对碳材料的问题
通过Runhui黄- 09年4月,2018 -评论:0

在集成电路制造过程中,spin-on-carbon (SOC)材料构成的重要层多层过程实现更小的特征尺寸。SOC层对光刻、模式转换、衬底整平,和各种各样的其他关键流程。在选择一个合适的材料的一个关键挑战是,有些流程需要一个高的……»阅读更多

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