许多工作仍然存在,但也有一些不错的效果。
作为以前讨论的,传统chemically-amplified抗拒难以平衡的竞争要求EUV光刻。同时会议行业的目标分辨率,灵敏度,直线边缘粗糙度可能需要新的抵制概念。Inpria抵制技术,基于二氧化锡纳米簇,是一种可能性。最近出版的作品纽约州立大学奥尔巴尼暗示另一个。
奥尔巴尼集团由Sematech,检查一组分子有机金属一般类型的抗拒
,R是一个油气集团(苯、丁或苄基)和CR的是相应的羧酸盐组。化合物溶于甲苯,spin-coated到硅片上,和发展在己烷EUV曝光。甲苯和己烷传统上用于集成电路制造,但这些溶剂,分别质量更好spin-coated电影和解散的对比比传统的选择。
在所有情况下,化合物显示负面基调的行为。在每个子群的材料(R保持不变),交联效率随着分子量的增加而增加,导致光敏性增加。群体之间,抵制敏感性与自由基的稳定性对应r .因此,似乎最终抵制敏感性取决于alkyl-tin键的强度,或者更确切地说,是多么容易裂解过程中曝光。
评估20国集团不同的化合物。其中,最有前途的似乎是dibenzyltin dicarboxylates,实现线边缘粗糙度低至1.1纳米线和空间模式与35 nm CD。不幸的是,这些材料也有相对较高的照射剂量的要求。Dibenzyltin丙烯酸酯暴露剂量要低得多,但在分辨率和成本线边缘粗糙度。
总的来说,这里的化合物的研究可以实现分辨率,线边缘粗糙度,EUV光刻所需和敏感。许多工作有待完成,然而,随着集团尚未满足这三个要求用一个材料。
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600年乔丹为1.1 nm / cm2 !