速度和如何影响半导体集成密度,多氯联苯,系统和光子学。
对许多电子设计专业人士,它已成为明显的行业是过渡到一个转折点,将设计的一些基本原则。
的增加速度和密度在今天的系统集成芯片设计之间的界限逐渐模糊,传统的董事会或系统设计。这在multi-die发现其充分表达,3 d集成电路,已成为高性能计算的规范设计。
同时,多重物理量——同时分析多个物理效应——是另一个深刻而具有挑战性的核心电子设计实践的转变。通过合并之前截然不同的物理学科在添加新的物理方程,它是推动一个阶跃函数在电子设计所需的专业技术团队。
一个具体的例子如何快速发展的事实在地面上包括热分析日益受到重视,它已成为明显的,散热可能是1号3 d-ic集成密度的限制因素。但热梯度跨异构组件不可避免地导致不均匀膨胀,导致机械应力和弯曲的包。
扭曲直接影响系统的可靠性,但温度也不太直接的设计效果。例如,它还降低了最大允许电流密度,以避免电迁移可靠性的问题。
更高的速度信号加上更大的物理尺寸的multi-die系统电磁仿真必须——不仅仅是无线电频率(RF)设计师,也为高性能计算(HPC)和人工智能/机器学习(AI /毫升)硬件。这些相互关联的物理效应推动了多重物理量革命。
半导体晶圆代工厂回应的上升3 d-ic设计首先补充他们的签字要求和推荐的IC设计流包括热、电磁等工具,以前降级OSATs或其他外部供应商制造。大多数先进的3 d系统被带到市场由大到目前为止,领先的半导体公司的资源和专长,利用新的技术机会。但是,为了使3 d-ic设计更容易主流设计团队,行业需要的工具和设计平台,捕获和自动化这些高级多重物理量设计要求在实际工作流。
旧的工作方式不会削减它在这个新的现实。设计专家与特定领域知识分散在多个组需要聚集在一起成垂直整合的设计团队,提供专业知识从一开始在系统原型。设计师将需要新的工具,新的培训,新方法在这个环境中竞争。
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的想法议程显示了无与伦比的广度和范围的多重物理量工具,解决方案,和实际实现,与40个演讲在10电子系统技术跟踪分析,半导体的签收、光子学、云,工作流解决方案。
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