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标签:晶圆键合

测量的新方法,在圆片规模,直接成键的能量(CEA-LETI)
通过技术论文链接2022年12月- 12 -评论:0

新技术论文题为“双悬臂梁焊接能源使用共焦测量红外显微镜”由研究人员发表在大学格勒诺布尔阿尔卑斯,CEA-LETI SOITEC,帕洛阿尔托研究中心Technologique方田。“是为了测量评估的一种新技术,在圆片规模,直接成键的能量。它来源于标准的双悬臂梁(DCB)方法,并使用int……»阅读更多

圆片规模工具转移石墨烯
通过技术论文链接- 10月18日,2022 -评论:0

新技术论文题为“评估wafer-level转移石墨烯对半导体产业技术需求”被亚琛工业大学的研究人员发表,AMO GmbH,英飞凌科技,欧洲Protemics GmbH,效果显著。文摘(部分):“石墨烯是一种很有前途的候选人为未来电子应用程序。制造石墨烯选举……»阅读更多

铜/ SiO₂混合债券互联
通过技术论文链接- 10,2022 -评论:0

技术论文题为“组织发展铜/ SiO₂混合债券互联可靠性测试”后涂德累斯顿和其他的研究人员。文摘:“这项研究的重点是详细描述混合铜/ SiO 2薄片焊接可靠性测试后互联。混合键(或直接债券互连)是一种微细的首选技术……»阅读更多

晶圆键合的新趋势
通过凯瑟琳德比郡——11月21日,2019 -评论:0

无法规模水平,由于光刻延迟和功率限制,制造商正垂直堆垛设备。这已成为重要的扩散移动设备驱动需求较小的电路的足迹,但并不总是直截了当的过渡。三维集成方案有很多种形式,根据所需interconne……»阅读更多

MEMS的麻烦
通过埃德·斯珀林- 5月25日,2016 -评论:0

物联网的出现将开放的一系列新的机遇MEMS-based传感器,但芯片制造商进行谨慎。有很多原因限制。微机电系统是很难设计、制造和测试,在MEMS系统最初引发的乐观,这个市场将命令同样的保费analo……»阅读更多

下一个通道材料吗?
通过马克LaPedus1月- 22,2015 -评论:0

芯片制造商正在大步从平面晶体管(getkc id = " 185 " kc_name = " finFETs "]。最初,[getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”]进入finFET生产22纳米,现在增加其第二代finFETs 14 nm。和其他铸造厂将进入finFET战斗在16 nm / 14 nm。下一步是什么呢?芯片制造商可能会延长finFET架构两个10海里……»阅读更多

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