标签:虚拟制造

提高DRAM通过鞍鳍流程优化设备性能
通过Taeyon (TY)哦- 15,2023 -评论:0

DRAM技术节点相应减少了,访问晶体管问题已经强调由于弱可控性。鞍鳍与埋设通道晶体管阵列(BCAT)随后采取增加通道长度,防止短沟道效应,增加数据保留时间[1]。然而,在超出20纳米技术节点,确保足够的设备性能(苏…»阅读更多

工艺流程的影响,扩展,对互连性能变化
通过林的研究——4月26日,2023 -评论:0

虚拟制造是用来评估的性能互联(线,通过电阻,电容,等等)在球兼容EUV单一暴露或SADP为三个不同的流程:单一的波纹,双波纹和semi-damascene(减去金属腐蚀)。过程变化的影响这三个流也调查确定relativ……»阅读更多

比较评价DRAM位线间隔的集成方案
通过邓普西邓3月- 16,2023 -评论:0

减少动态随机存取记忆体(DRAM)细胞大小,DRAM过程开发变得越来越困难。位线(提单)传感利润率和刷新时间已成为问题的细胞大小减少,由于提单增加寄生电容(Cb)。的主要因素影响Cb是提单和节点之间的寄生电容接触(CBL-NC) [1]。减少……»阅读更多

寻路靠窗过程建模:先进的DRAM电容器模式评估使用虚拟制造过程窗口
通过Coventor12月- 14,2022 -评论:0

在先进的DRAM,电容器密集模式旨在增加细胞密度。因此,先进的模式方案,如多个litho-etch SADP和SAQP流程可能需要。在本文中,我们系统地评估DRAM电容器孔形成过程,包括SADP SAQP模式,在SEMulator3D使用虚拟制造和统计分析。聚氨酯……»阅读更多

在FEOL创建空隙减少寄生电容
通过Sumant Sarkar11月17日,2022 -评论:0

减少门金属之间的寄生电容和晶体管的源/漏接触可以减少设备切换延迟。减少寄生电容的一个方法是降低材料的有效介电常数之间的层门和源/漏。这可以通过创建空隙介质材料在这个位置。这种类型的工作一直做…»阅读更多

洞察高级DRAM电容器模式:评估使用虚拟制造过程窗口
通过Qingpeng王10月- 20,2022 -评论:0

连续设备扩展,过程窗口变得越来越窄,由于小特征尺寸和更大的处理步骤可变性[1]。半导体发展的一个关键任务在研发阶段是选择一个好的集成方案相对较大的窗口过程。当晶片测试数据是有限的,评估不同的集成方案的过程窗口可以…»阅读更多

寻路靠窗的过程建模
通过Coventor- 10月19日,2022 -评论:0

在先进的DRAM,电容器密集模式旨在增加细胞密度。因此,先进的模式方案,如多个litho-etch SADP和SAQP流程可能需要。在本文中,我们系统地评估DRAM电容器孔形成过程,包括SADP SAQP模式,使用虚拟制造和统计分析SEMulator3D®。…»阅读更多

线边缘粗糙度的影响研究在金属线路电阻使用虚拟制造
通过Coventor9月- 15,2022 -评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素限制芯片运行速度在高级节点。这是因为小金属球需要窄线CD和两线间间距,介绍高金属线路电阻和相间电容。表面散射效应的根本原因是成倍地增加金属电阻率较小的金属线距…»阅读更多

通过虚拟制造产量提高
通过Coventor4月- 20,2022 -评论:0

本文提供了一个示例使用虚拟制造产量提高。6晶体管静态随机存取存储器的例子基于7 nm节点技术是在这个案例研究中使用。造成的产量损失通过contact-metal边缘位置误差建模和分析。结果表明,产量可提高48.4%到99.0%通过过程窗口优化和改善性能指标……»阅读更多

了解电气线路电阻在先进半导体节点
通过桑迪温12月- 16,2021 -评论:0

当评估减少金属线宽在先进的半导体器件,体电阻率不是唯一驱动电阻材料属性。在当地线尺寸小,电阻率是由晶界和表面散射的影响。因此,电阻率变化在一条线,和电阻提取需要占这些次要的现象学……»阅读更多

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