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标签:场效应电晶体

搬到棉酚场效应晶体管
通过凯瑟琳德比郡2020年2月- 20(-评论:2

如何衡量一个晶体管的大小?门的长度,或源极和漏极之间的距离联系人吗?对于平面晶体管,两个值大约是相同的。大门口,加上绝缘垫片,适合在源和漏极之间的联系人。接触,限制光刻过程可以打印,最小的特性决定了有多少晶体管……»阅读更多

好的和坏的二维材料
通过凯瑟琳德比郡- 2月27日,2019 -评论:0

尽管经过多年的警告达到硅的局限性,特别是在前沿流程节点,电子迁移率有限,仍没有明显的替代品。硅集成电路产业的长达数十年的主导地位只是部分原因是材料的电子性质。砷化镓锗,和许多其他半导体提供优越mobili……»阅读更多

先进的场效应电晶体缺陷检测技术和pFET Defectivity 7海里门口聚去除过程
通过心理契约9月- 20,2018 -评论:0

由伊恩•Tolle GlobalFoundries,迈克尔•Daino KLA-Tencor在去除过程7海里门聚,多晶硅删除暴露场效应电晶体和PFET鳍在准备high-k栅氧化层。如果多晶硅腐蚀太激进或源和漏不充分保护,腐蚀会损害活跃区和呈现场效应晶体管不起作用。不同的材料用于t…»阅读更多

更多的光刻/面具的挑战(第3部分)
通过马克LaPedus——5月16日,2018 -评论:1

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

接下来的晶体管
通过马克LaPedus1月23日,2017 -评论:1

集成电路产业正朝着不同的方向。最大的芯片制造商继续游行过程与芯片扩展节点,而另一些则向各种先进的包装方案。最重要的是,post-CMOS设备,神经形态芯片和量子计算都是在工作。半导体工程坐下来讨论这些技术与玛丽Semeri…»阅读更多

不确定性的增加5 nm, 3海里
通过马克LaPedus12月19日,2016 -评论:4

一些芯片制造商增加10 nm finFET过程,与7海里指日可待,研发已经开始5海里。事实上,一些已经在场上移动全速前进。[getentity id = " 22586 "评论=“台积电”)最近宣布计划建立一个新的工厂在台湾,耗资157亿美元。该工厂是针对生产台积电5和3 nm流程,制作……»阅读更多

为未来FD-SOI菌株
通过凯瑟琳德比郡- 11年7月,2016 -评论:0

FD-SOI支持者面临的挑战之一是需要提供一个途径来提高性能。虽然FD-SOI晶片提供一些显著的优势,超过大部分硅片,性能增强应变和材料替代频道更薄SOI环境中难以实现。另一方面,一旦工厂愿意将浇筑层转移……»阅读更多

电子束与光学检验
通过马克LaPedus- 11年7月,2016 -评论:0

晶片检查业务正在升温,芯片制造商遇到新的先进的设备缺陷和小杀手。上个月ASML Holding进入一个协议收购爱马仕维视(HMI),世界上最大的电子束检查供应商,为31亿美元。拟议的行动推动ASML电子束晶片检查市场。此外,[getentity id = " 22817 " e_name = ":……»阅读更多

2.5 d成为现实
通过埃德·斯珀林2016年5月- 11 -评论:0

半导体工程坐下来讨论2.5 d和先进的包装,最大最小值,高级技术经理(getentity id = " 22865 " e_name =“三星”);罗伯•艾特肯(getentity id = " 22186 "评论=“手臂”)的;副总裁约翰•Shin [getentity id = " 22903 " e_name =“迈”);ASIC营销主管比尔•艾萨克森(getentity id = " 22242 " e_name =“eSilicon”);高级di弗兰克铁……»阅读更多

7纳米工厂挑战
通过马克LaPedus- 4月21日,2016 -评论:3

先进铸造供应商的挑战从传统的平面流程过渡到finFET晶体管时代。第[getkc id = " 185 " kc_name = " finFETs "]是基于22 nm节点,现在这个行业增加16 nm / 14纳米技术。展望未来,问题是finFET可扩展多远。事实上,从三星预计增加10 nm finFETs你们……»阅读更多

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