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标签:线中间

晶圆凹凸检测面临越来越大的挑战
通过埃德·斯珀林- 2021年10月11日-评论

随着先进封装成为主流，确保晶圆凸点的一致性已成为晶圆代工厂和osat的关键问题。CyberOptics的计算机视觉工程经理John Hoffman谈到了向中线的转变以及这是如何影响检测和计量的，为什么对共面性和对齐有如此多的关注，变化是如何叠加和创造的……»阅读更多

打破2纳米的障碍
通过马克LaPedus- 2021年2月18日-评论

芯片制造商在最新的工艺节点上继续利用晶体管技术取得进步，但这些结构内部的互连却难以跟上步伐。芯片行业正在研究几种技术来解决互连瓶颈，但其中许多解决方案仍处于研发阶段，可能在一段时间内不会出现——可能要到2nm才能出现。»阅读更多

战争开始
通过马克LaPedus- 2020年1月23日-意见:6

几家晶圆代工厂正在市场上推广他们的新5nm工艺，但现在客户必须决定是围绕当前的晶体管类型设计下一代芯片，还是转向不同的3nm或更高的晶体管类型。这一决定涉及到将目前的finfet扩展到3nm，或在3nm或2nm上实施一种名为gate-全能fet (GAA fet)的新技术。进化的一步是…»阅读更多

10/7nm变化
通过埃德·斯珀林- 2018年10月18日-评论

PDF solutions的新产品和解决方案副总裁Klaus Schuegraf解释了为什么在高级节点上变异性是一个越来越大的挑战，为什么中线现在是一个大问题区域，以及由于一个小的工艺变化而导致的过孔不对齐会发生什么。https://youtu.be/jQfggOnxZJQ»阅读更多

FinFET计量挑战增长
通过马克LaPedus- 2018年5月17日-意见

芯片制造商在10nm/7nm及以上的晶圆厂面临着众多挑战，但有一项通常不被关注的技术正变得尤其困难——计量学。计量学是测量和表征结构的艺术，用于查明设备和工艺中的问题。这有助于确保实验室和晶圆厂的产量。在28nm及以上，计量是一个简单的…»阅读更多

DSA重返Litho Picture
通过马克LaPedus- 2018年3月15日-评论

定向自组装(DSA)在光刻技术面临的持续挑战中又回到了模式雷达屏幕上。据多家业内消息人士透露，英特尔仍对[gettech id="31046" t_name="DSA"]抱有浓厚兴趣，而其他芯片制造商也在重新审视这项技术。DSA不像传统的[getkc id="80" kc_name="…"»阅读更多

新的BEOL/MOL突破?
通过马克LaPedus- 2017年6月15日-评论

芯片制造商正在推进高级节点晶体管的扩展，但这正变得越来越困难。该行业正在努力保持相同的接触和互连时间表，这代表了在最先进节点上的芯片成本和不必要的阻力的更大一部分。尖端芯片由三部分组成——晶体管、触点和互连。…»阅读更多

FD-SOI内部和缩放
通过马克LaPedus- 2017年6月15日-评论:5

[getentity id="22819" comment="GlobalFoundries"]首席技术官Gary Patton与《半导体工程》杂志一起讨论了FD-SOI、IC缩放、工艺技术和其他主题。以下是那次谈话的节选。SE:从逻辑上讲，GlobalFoundries正在生产14纳米的finfet, 7纳米的finfet正在生产中。该公司还准备采用22nm FD-SOI技术和12nm FD-SOI…»阅读更多

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