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标签:indium-gallium-arsenide

系统信息:3月5日
通过杰夫Dorsch- 05年3月,2019 -评论:0

magnonics晶体管的新电子领域不断缩小尺寸很难制造。有疑问在半导体行业的可能性与现有工艺生产1纳米特性。答案可能在于magnonic电流:准粒子与波磁化,或旋转波,在磁性材料。研究人员……»阅读更多

硅光子学进入重点
通过埃德·斯珀林- 10月31日,2016 -评论:5

硅光子学正吸引着越来越多的关注和投资作为同伴铜线技术在数据中心,接下来会发生什么,当产生了新的疑问。光一直是速度的最终标准。它需要更少的能量移动大量数据,比电产生更少的热量,它同样可以工作在或长或短的距离……»阅读更多

可靠性后平面硅
通过凯瑟琳德比郡——7月29日,2015 -评论:2

负偏压温度不稳定性(NBTI)提出了一个非常严重的可靠性挑战高度扩展平面硅晶体管,正如前面所讨论的那样。然而,传统的平面硅晶体管似乎接近尾声的生活因其他原因,。硅载体的流动性限制了开关速度甚至变得更加难以保持足够的电工……»阅读更多

仍在等待III-V芯片
通过马克LaPedus2月19日,2015 -评论:0

多年来,芯片制造商一直在寻找一种替代材料来取代传统的硅渠道先进CMOS设备7海里。有很好的理由:在7海里,硅频道可能会失去动力。直到最近,芯片制造商都指望III-V材料渠道,至少对场效应电晶体。与硅相比,III-V材料提供…»阅读更多

下一个通道材料吗?
通过马克LaPedus1月- 22,2015 -评论:0

芯片制造商正在大步从平面晶体管(getkc id = " 185 " kc_name = " finFETs "]。最初,[getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”]进入finFET生产22纳米,现在增加其第二代finFETs 14 nm。和其他铸造厂将进入finFET战斗在16 nm / 14 nm。下一步是什么呢?芯片制造商可能会延长finFET架构两个10海里……»阅读更多

7和5 nm真的会发生吗?
通过马克LaPedus——6月19日,2014 -评论:11

作为领先的芯片制造商继续增加其28 nm和20 nm制程设备,供应商也在更新他们的未来技术路线图。事实上,IC制造商正在谈论他们的新装运时间表10纳米。GlobalFoundries,英特尔、三星和台积电是缩小选项7海里,5 nm和超越。有一个高概率,IC制造商可以扩展到10纳米,但供应商面临…»阅读更多

为高机动FinFETs做准备
通过马克LaPedus- 2月21日,2013 -评论:0

由马克LaPedus finFET时代集成电路产业进入了2011年,当英特尔超越竞争,推出新奇的22纳米晶体管技术节点。英特尔希望增加其第二代finFET设备在14 nm到年底,计划到2015年推出其11纳米技术。希望与英特尔缩小差距,硅晶圆代工厂加速他们的努力t…»阅读更多

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