标签:gate-all-around场效应晶体管

三星推出缩放、包装路线图
通过埃德·斯珀林2017年5月- 24 -评论:5

三星铸造了咄咄逼人的路线图,鳞片4海里,并包括一个扇出wafer-level包装技术,桥梁芯片在再分配层,18海里FD-SOI,和一个新的组织结构,允许单位作为商业企业更大的自主权。这些举措将[getentity id = " 22865 " e_name =“三星代工”)在直接竞争得到……»阅读更多

在高级模式
通过马克LaPedus12月- 15,2016 -评论:0

集团副总裁兼总经理Prabu拉贾的图案和包装集团[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”),坐下来与半导体工程讨论模式的趋势,选择过程和其他话题。拉贾也是一个研究员应用材料。以下是摘录的转换。SE:从你的角度来看,大…»阅读更多

更深处英特尔
通过马克LaPedus8月- 22,2016 -评论:5

高级研究员马克•波尔和英特尔、流程架构和集成主管和Zane球,在技术和制造集团副总裁英特尔和英特尔co-general经理定制铸造,坐下来的晶体管和半导体工程讨论未来的发展方向,过程技术,铸造业务和包装。以下是摘录的……»阅读更多

晶体管将会是什么样子在5海里
通过马克LaPedus- 8月18日,2016 -评论:3

芯片制造商目前正在加大16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里指日可待。该行业也正在5海里。台积电(TSMC)希望到2020年交付5 nm过程。GlobalFoundries,英特尔和三星在做研发的节点。但是5纳米技术提出了众多的未知和挑战。首先,具体时间和规格5 nm仍然是多云的。…»阅读更多

原子层腐蚀加剧
通过马克LaPedus- 6月29日,2016 -评论:0

原子层腐蚀(ALE)市场开始升温,芯片制造商推动10纳米。啤酒是一种很有前途的下一代蚀刻技术,已经在研发过去数年,但直到现在已经有很少或不需要使用它。与传统蚀刻工具,去除材料在连续的基础上,啤酒将选择性地、准确地去除targete……»阅读更多

5纳米工厂挑战
通过马克LaPedus- 1月21日,2016 -评论:2

在最近的一次活动中,英特尔发表了一篇论文,产生火花和推动投机前沿IC产业的未来发展方向。公司描述新一代晶体管称为纳米线场效应晶体管,这是一个finFET变成了门缠绕在它。英特尔的纳米线场效应晶体管,有时称为gate-all-around场效应晶体管,据说满足设备要求……»阅读更多

将5 nm发生吗?
通过马克LaPedus——2016年1月20日——评论:7

芯片制造商正在加大16/14nm finFET流程,10 nm finFETs预期将在2016年末或2017年初。下一步是什么呢?铸造厂可以看到通往finFET晶体管扩展到7海里,但下一个节点,5海里,是远不能确定,可能永远不会发生。事实上,有几个技术和经济挑战5海里。即使5 nm发生,只有少数compani……»阅读更多

晶体管的选择缩小7海里
通过马克LaPedus11月- 13,2014 -评论:0

芯片制造商目前正在加大硅finFETs 16 nm / 14 nm节点,计划规模相同的技术到10纳米。现在,该行业关注的晶体管选项7海里。有一段时间,几个下一代晶体管类型涉及的主要竞争者。目前,行业缩小选项和一个技术是一个令人惊讶的lea……»阅读更多

3 d NAND倒下的?
通过马克LaPedus- 7月17日,2014 -评论:0

今天的平面NAND闪存技术将在10 nm撞墙,促使需要memory-3D NAND flash的下一件大事。事实上,3 d NAND可能延长NAND闪存在接下来的几年,使新的应用程序。它还将推动新一轮的晶圆厂和工具命令。但不会像以前一样光滑过渡糊涂事。3 d NAND很难制造比公关……»阅读更多

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