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标签:电介质

氟化学品在光刻制版和半导体加工中的基本用途综述
通过技术文件链接- 2022年4月6日-评论:0

康奈尔大学的研究人员发表了一篇新的学术论文。“我们确定并描述了用于在光刻制版制造过程中生产先进半导体的含氟化学品的类别。讨论的主题包括使用的每和多氟烷基物质(PFAS)材料及其成功半导体制造的必要属性。»阅读更多

下一代晶体管
通过埃德·斯珀林- 2022年3月7日-评论:0

纳米片，或者更一般地说，栅极全能fet，标志着最先进节点晶体管结构的下一个重大转变。Lam Research计算产品副总裁David Fried与《半导体工程》杂志讨论了使用这些新型晶体管的优势，以及未来节点的无数挑战，特别是在计量领域。»阅读更多

更多的数据，更多的内存扩展问题
通过布来安梅奥- 2021年1月14日-意见:0

所有类型的存储器都面临着压力，因为需要更大的容量、更低的成本、更快的速度和更低的功率来处理每天产生的新数据的冲击。无论是完善的内存类型还是新颖的方法，随着我们对内存的需求以加速的速度增长，需要继续进行工作以保持向前扩展。“数据是这个时代的新经济……»阅读更多

高级节点、包的变异威胁增长
通过埃德·斯珀林- 2020年12月21日-评论:0

对于芯片制造商来说，随着他们向下一个工艺节点或越来越密集的高级封装推进，变化正成为一个更大、更复杂的问题，引发了对单个设备甚至整个系统的功能和可靠性的担忧。在过去，几乎所有关于变异的关注都集中在制造过程上。打印在硅片上的东西…»阅读更多

3nm及以上的功率预算
通过埃德·斯珀林- 2019年3月14日-评论:0

有很大的信心，数字逻辑将继续缩小到至少3nm，甚至可能下降到1.5nm。所有这些都需要设计团队在处理权力的方式上做出重大改变。对于大多数芯片制造商来说，这在某种程度上是一种进化。五年前，在大多数大型组织中，权力专家还不到几个。如今，每个人都以这样或那样的方式与权力打交道……»阅读更多

技术讲座:5/3nm寄生
通过埃德·斯珀林- 2018年2月22日-评论:0

Synopsys的首席研发工程师Ralph Iverson谈到了5/3nm的寄生萃取，以及对新材料和栅极全能fet和垂直纳米线fet等栅极结构的期待。https://youtu.be/24C6byQBkuI»阅读更多

新节点，材料，记忆
通过埃德·斯珀林- 2018年2月15日-评论:0

[getentity id="22817" e_name="Applied Materials"]高级产品技术开发副总裁兼总经理Ellie yeieh，以及该公司Maydan技术中心负责人，与《半导体工程》杂志一起讨论了先进节点和新应用的挑战、变化和解决方案。以下是那次谈话的节选。SE:我们能走多远?»阅读更多

10nm和7nm的BEOL问题(上)
通过埃德·斯珀林- 2016年12月15日-意见:5

美国半导体工程公司(Semiconductor Engineering)与先进技术开发集成部门高级经理兼副主管克雷格·蔡尔德(Craig Child)坐下来讨论前沿节点的后端问题;Paul Besser，高级技术总监[getentity id="22820" comment="Lam Research"];David Fried, CTO at [getentity id="22210" e_name…]»阅读更多

氧化铪的多种途径
通过凯瑟琳德比郡- 2016年3月31日-意见:0

设备和材料供应商经常谈论集成电路加工的碎片化。虽然制造商的数量减少了，但基础半导体市场的多样性却增加了。用于移动设备的低功耗处理器、用于固态磁盘的非易失性存储器和专用图形处理器都与传统的工业设备有不同的要求。»阅读更多

硅的终结?
通过凯瑟琳德比郡- 2015年5月4日-评论

随着晶体管的缩小，并不是所有的器件参数都以相同的速度扩展——这就存在一个潜在的巨大问题。近年来，制造商已经能够比工作电压更快地降低等效氧化层厚度(EOT)。因此，在沟道和栅极介质中存在的电场一直在增加。此外，减少EOT在一定程度上是通过减少…»阅读更多

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