标签:分层

SiC EVs强调生产
通过安妮Meixner- 08年8月,2023 -评论:0

车辆的电气化助长了对碳化硅功率集成电路的需求,但它也创造挑战找到并确定缺陷的芯片。与这是一个多么不成熟的了解加深SiC技术仍然需要做多少工作,很快就会发生。汽车制造商正在推动,电动汽车和t…»阅读更多

将一个附着力促进剂防止分层在功率半导体元件包吗?
通过公司- 7月21日,2021 -评论:0

功率半导体元件包是用于高温、高压的环境。随着电动汽车的增加(EVs)和混合动力电动汽车(HEV)在汽车市场上,需求(和)包一直在增长。汽车应用程序必须通过广泛的测试包安全,因此,包装的可靠性是至关重要的。随着越来越多的半导体包……»阅读更多

失效分析的电子设备使用扫描声学显微镜
通过•高丝- 11年6月,2019 -评论:0

扫描声学显微镜或山姆,是一种非破坏性技术用于复杂设备的故障分析。山姆可以提供一个决议到亚微米厚度。山姆是一种有效的工具来分析层之间的附着力,在每一层的存在可能的缺陷。这可以使用例如调查密封,涂料,倒装芯片填充不足,BGA、QFN,薄片……»阅读更多

挑战和解决方案硅片斜在3 d NAND闪存制造缺陷
通过Pradeep Nanja- 5月23日,2019 -评论:0

随着半导体技术的尺度大小,流程集成的复杂性和缺陷增加3 d NAND闪存,部分由于大堆栈存款和厚度变化之间的晶圆中心和晶片边缘。业内人士正在努力减少缺陷密度在晶片边缘提高整体晶片产量。注意力都集中在常见的晶圆斜角缺陷年代……»阅读更多

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu