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标签:计算光刻

逆光刻技术:30年从概念到实际,全芯片的现实
通过技术论文链接- 01年10月,2021 -评论:0

发表在《微/ Nanopatterning,材料,和计量,2021年8月31日。阅读完整的技术论文(开放)。文摘在光刻技术,光学邻近和过程偏差/效果需要纠正达到最佳的晶片打印。努力纠正这些影响开始用一个简单的偏见,添加一个锤头在预防行结束缩短行结束。T…»阅读更多

虚拟制造在7/5/3nm
通过埃德·斯珀林- 10月23日,2020 -评论:0

计算产品的副总裁大卫•油炸林的研究,深入虚拟制造最先进的节点,如何创建新节点模型使用不成熟的流程,以及如何融合在一起的数据来自多个不同的筒仓。»阅读更多

接下来EUV问题:掩盖3 d效果
通过马克LaPedus- 4月25日,2018 -评论:6

随着极端紫外线(EUV)光刻接近生产,该行业更关注问题的现象称为掩盖3 d效果。3 d效果涉及光掩模的EUV面具。简而言之,一个集成电路芯片设计,从一个文件格式转换成光掩模。面具是一个给定的主模板集成电路设计。这是放置在一个光刻扫描……»阅读更多

逆光刻怎么了?
通过马克LaPedus10月- 20,2016 -评论:2

近10年前,这个行业推出了一个潜在的颠覆性技术称为逆光刻技术(ILT)。但教师的时间,导致行业推动了技术和把它niche-oriented应用程序。今天,然而,教师越来越新的关注,半导体行业将向7纳米,甚至超越。教师不是一个下一代……»阅读更多

计算光刻
通过不同的作家- 3月21日,2013 -评论:0

计算光刻技术已经成为不可分割的一部分,自130 nm设计流程节点。新技术继续发展扩大稳定节点缩减年复一年。阅读本白皮书,请点击这里。»阅读更多

计算光刻
通过不同的作家——8月31日,2012 -评论:0

计算光刻技术已经成为不可分割的一部分,自130 nm设计流程节点。新技术继续发展扩大稳定节点缩减年复一年。本白皮书下载,请点击这里。»阅读更多

艾薇桥解决旧的赌注
通过马克·大卫·利文森8月- 16,2012 -评论:0

回想七年至2005年。那些与房地产市场繁荣时期上升,美元高,65 nm节点芯片在地平线上和EUV大未来光刻的希望。EUVL迟到了下一次(45 nm)节点,但是一个伟大的新想法似乎gap-water浸扫描填充193 nm曝光!但可以湿193纳米光刻走多远EUVL或者一些新事物,如…»阅读更多

3计算光刻d-ic影响?
通过安Mutschler8月- 16,2012 -评论:0

而3 d设备和技术,如在矽通过(tsv)肯定会将事情复杂化的设计、验证和制造空间,人们可能会认为,也会影响计算光刻工具,用于确保印刷适性。没有恐惧。业内专家向我们保证,这不是如此。光刻技术专家克里斯·马克承认……»阅读更多

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