的3 d技术带来的挑战,它将复杂问题的计算光刻工具,确保印刷适性?别担心。
而3 d设备和技术,如在矽通过(tsv)肯定会将事情复杂化的设计、验证和制造空间,人们可能会认为,也会影响计算光刻工具,用于确保印刷适性。
没有恐惧。业内专家向我们保证,这不是如此。
光刻技术专家克里斯·马克承认,有许多问题从3 d EDA的一面,但不计算时光刻。“我认为问题是更多关于我们要做光刻技术而不是类型的设备,我们会印刷,”他说。
例如,多个模式增加了各种各样的额外复杂性计算光刻技术,但是这人已经处理,他指出。“EUV有很多未知的困难在计算光刻技术的世界里,如果我们搬到一些互补的光刻技术,我们正在做DSA-based行间距模式然后多个e-beam-based直线切割,有一系列的新的事情计算光刻需要”。
Manoj查柯,节奏、产品营销总监指出,3 d将不会导致问题计算光刻现在因为tsv时,他们在1微米相当大。“当你谈论1微米,没有计算光刻。计算开始于0.25微米光刻技术问题。这可能不是一个挑战,因为接触设备波长为193纳米,所以任何低于193纳米是计算光刻踢。”
甚至开关齿轮3 d设备,他指出,这不是一个很多不同的3 d设备20海里有非常小的特性紧密均匀,基本上是计算光刻技术的本质。”的意思,在每个流程节点,它变得越来越难以建模过程和做一个更好的预测,但当我们看一个3 d的过程为例,从纯计算光刻的角度来看是一样的有什么特别,我们从单层的角度看它甚至3 d设备可以分解。”
事情变得棘手的地方与3 d是光刻技术本身,麦克说。“我认为FinFET的区域会产生更大的影响光刻。尺寸很好,非常,非常,非常小的模式。然后,当你打印这些数组的好,small-pitch模式,一般是如何布局?如何限制的限制设计规则是铺设这些东西吗?真正的光刻技术挑战来自这样一个事实:它是一个非常好的球场,今天需要double-patterning,和将来可能需要四模式。”
思考这个问题的另一种方法是,他建议,如何准确计算光刻工具。2纳米精度20 nm节点可能不够好,但当你在10 nm节点,您需要1纳米精度。
“你的模拟能力的准确性必须规模特征尺寸和我们每次这样做,每次我们缩小,我们必须开发更精确的模型,”麦克说。“你不能使用相同的模型和某种程度上缩小其准确性。它通常需要更好的身体模型更加准确,更好的校准,更在模型中。所以我们不断改善与每个技术节点的模型。无论如何会如此从光刻技术的角度来看。我不认为FinFETs或3 d晶体管本身会驱动;这只是我们印刷这些较小的特性。”
另一个问题来自3 d在14 nm,查柯指出。“在主流市场推出3 d设备时,我们看这个现在从计算光刻技术的角度来看,扩大意味着post-DRC到面具,现在我们讨论double-patterning。这就是复杂的用武之地,因为现在你可以想象一下,如果你觉得一层分为两个面具。想象3 d晶体管必须装在两个或两个三层根据过程如何,然后分手。然后所有的这一切,这是一个很大的复杂的事情,必须建立在GDS,复杂性。的分辨率增强技术的流动(RET)以及基于模型的抵抗特性,那里是一个问题。有谈论也许利用不同类型的双模式为3 d设备。”
但也容易失去视角与这种技术。产品开发主管约翰•Sturtevant导师图形建模和验证时,观察到我们作为一个行业非常关注于流血的边缘,我们失去联系,有大量的光刻技术挑战相关事情10或100倍的临界尺寸我们强调约在14海里。MEMS是这样一个领域。
“这不是我们讨论的最小尺寸,但是有巨大的石印的挑战,“Sturtevant说。“整个光盘行业一直有趣的地方高纵横比的图像必须在光致抗蚀剂图案,即使横向维度并不是最小的事情我们做一样小。但是有非常困难的挑战。”
可以肯定的是,3 d设备,技术和技术将带来一系列新的挑战,但在一天结束的时候至少计算光刻技术不是一个区域会感觉的影响。
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