七年前两平大师打赌一个小和光刻技术的未来。最后的冠军是…
回想七年至2005年。那些与房地产市场繁荣时期上升,美元高,65 nm节点芯片在地平线上和EUV大未来光刻的希望。EUVL迟到了下一次(45 nm)节点,但是一个伟大的新想法似乎gap-water浸扫描填充193 nm曝光!但可以湿193纳米光刻走多远EUVL或者一些新事物,如印记,会取代它吗?一件事很清楚:该行业将会找到一个方法来保持两年的摩尔定律的速度,即使一些制造技术没有“准备好了。”
似乎很难相信光学光刻技术可以走得更远。45 nm半节,“隐含一个完整的90海里,距是令人不安的是接近水浸的绝对限制。当然,实际的最低时期主要逻辑芯片三或四倍名义节点“惠普”维度,所面临的挑战是在过程控制,而不是物理。不过,只能取两个或三个节点,然后真正的芯片将挑战的基本音高限制水浸。它是有意义的事情或者甚至可能尽量保持193海里浸泡暴露在32 nm干什么?22纳米呢?
总裁两个行业veterans-Ken Rygler Rygler & Associates和布赖恩侬,老板侬Consulting-embodied业界分歧。都有经验丰富的光掩模行业,侬在IBM和Rygler杜邦光掩模的创始人,而且他们两个都知道老和新技术带来的困难。侬认为这是可笑的认为数以十亿美元计的电路特性可以成功打印尺寸九分之一的曝光波长。Rygler认为工程师会找到一种方法,即使他无法想象它。
2005年6月28日,所以他们做了一个选择:侬打赌100美元加拿大22纳米芯片出货时,临界水平就不会使用193海里浸没式光刻图案。Rygler了另一边,但提供了680年中国Renminbi-equal资金在2005年6月下旬。我见证了打赌,韦斯Erck,然后在绿洲的工具,谁同意解决纠纷细节是否印记的“Step-and-Flash”计划是“光学光刻技术。”(Rygler继续争辩!)
然后45纳米的一代,制造使用193 nm曝光。设计变得更严格的限制和分辨率增强技术,更精致。英特尔发现它能使电路的均匀单向行间距光栅通过削减(黑暗)行有用的长度在第二光刻的一步。这是一开始大量制造的“双模式”。
NAND闪存制造商发现在相当简单的行间距有黄金数组和NAND成为光刻的司机萎缩。他们实现自对准双模式与井壁口供和减少暴露于突破光学限制。一旦走了,闪存将很快达到22纳米或so-patterned 193海里浸泡和精心制作的材料处理。但只有闪存可以轻松完成,至少直到设计工具迎头赶上。
EUVL还没有准备好时32 nm逻辑代来了,所以193海里浸泡必须结合各种RET和双模式方案。计算光刻和细工具控制帮助,但是没有容易。
然后Ivy Bridge来自英特尔、真正的22 nm节点技术,虽然放松。其22纳米FinFETS正在由193海里浸没式光刻技术,不仅为门光栅,也为鳍和cut-mask exposures-the真难!一定有很多的缩短诡计,但模式步骤包括只有193海里浸泡,因为在2012年,这是唯一的技术,在工业规模!
那么发生了什么赌?我邮件韦斯,肯和布莱恩当第一个Ivy Bridge服务器被安装。在6月19日,布莱恩和肯同意肯了,加拿大和将获得布莱恩的100美元,这是值得在美元比2005年增加了60%,一旦韦斯批准用适当的仪式。
但布莱恩想,肯会“双重或全无”的成功EUV吗?
肯拒绝,“我怀疑,在数十亿倾注下来倒下来SXPL / EUV流失…,一些使用它会…但是是EUV工具/工厂成功?”
我在想,会有人打赌今天三代出一个节点?7海里一代芯片将如何?如果我现在不得不猜测,我会选择(叹息)193海里浸泡之后,自对准四或六倍的模式(也许自组装,也许侧壁)行间距光栅,通过削减风险敞口EUV和电子束光刻技术。谁有更好的主意吗?
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