标签:原子水平沉积

构建一个MRAM数组
通过凯瑟琳德比郡- 10月17日,2019 -评论:2

MRAM也逐渐吸引各种各样的设计作为一个中层类型的内存,但为什么花了这么长时间才给市场带来该内存。一个典型的磁阻的RAM架构基于CoFeB磁层,采用隧道势垒。参考层应该零净磁化,以确保它不影响免费躺的方向……»阅读更多

可变性和成本控制在3海里
通过埃德·斯珀林——5月22日,2019 -评论:1

执行副总裁兼首席技术官理查德•Gottscho林研究,坐下来与半导体工程讨论如何利用更多的数据从传感器制造设备,迁移到新流程节点,啤酒和材料的发展,对控制成本有很大的影响。以下是摘录的谈话。SE: int添加多个传感器……»阅读更多

选择性沉积在哪里?
通过马克LaPedus- 25,2018 -评论:4

多年来,该行业一直致力于一个名为area-selective沉积的先进技术对芯片生产5 nm和超越。Area-selective沉积,先进的自对准模式技术,仍在研发与技术在一系列挑战。但更高级形式的技术开始取得一些进展,可能从洛杉矶指日可待…»阅读更多

更多的光刻/面具挑战(第2部分)
通过马克LaPedus- 4月17日,2018 -评论:3

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

MEMS的麻烦
通过埃德·斯珀林- 5月25日,2016 -评论:0

物联网的出现将开放的一系列新的机遇MEMS-based传感器,但芯片制造商进行谨慎。有很多原因限制。微机电系统是很难设计、制造和测试,在MEMS系统最初引发的乐观,这个市场将命令同样的保费analo……»阅读更多

Nano-Patterning能够拯救摩尔定律吗?
通过马克LaPedus11月19日,2015 -评论:0

多年来,学术界已经探索了一种新颖的技术称为选择性沉积。然后,一年多前,英特尔带头,把技术从实验室到工厂在7或5 nm。今天,选择性沉积仍在研发,但势头越来越大。从英特尔和其他与研发资金,选择性沉积,有时被称为ALD-e……»阅读更多

这是一个物质世界,积极的预测
通过半——7月23日,2015 -评论:0

由Michael愤怒的最新材料预估ALD / CVD前兆,CMP耗材,电子气体,硅片和溅射目标?Techcet给我们一个更新。金属门和电极前体在五年内翻倍使用前端的助教和W金属门和高频闸极介电层前兆将增长2.5倍,到2020年,根据一项新的报告Techcet,“20…»阅读更多

新模式的范例吗?
通过马克LaPedus- 4月16日,2015 -评论:0

在每个流程节点芯片扩展变得更加困难,但是这个行业继续寻找新的和创新的方法来解决这个问题。因此芯片制造商继续3月各个流程节点。但问题是多久?事实上,在16 nm / 14 nm,芯片制造商正在寻找新的和不同的挑战,这反过来可能会减缓IC缩放或br…»阅读更多

问题和选项5海里
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:0

在铸造厂加大他们的流程为16 nm / 14 nm节点,供应商也忙于开发技术10 nm和超越。事实上,芯片制造商正在敲定10 nm制程产品,但他们仍然重7海里的技术方案。如果这还不够,IC制造商开始看选项5 nm和超越。今天,芯片制造商可以看到一个p…»阅读更多

互连挑战成长
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:0

高通概述移动芯片供应商面临的技术挑战在最近的一次事件。在没有特定的顺序,挑战包括通常的suspects-area缩放、功率降低,性能和成本。高通的另一个担忧是一个经常被忽略的一部分方程backend-of-the-line (BEOL)。在芯片生产,BEOL就是互联形成内……»阅读更多

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