标签:场效应晶体管

离散电力产品的生产测试
通过Vineet Pancholi10月- 20,2022 -评论:0

Vineet Pancholi和丹尼斯Dinawanao金属氧化物硅场效应晶体管(mosfet),绝缘栅双极型晶体管(igbt),双极结晶体管(是),二极管和应用程序特定multi-transistor打包模块的一些离散的产品更受欢迎。开关控制电路中电流的流动。场效应管是大多数电子的构建块……»阅读更多

功能性改造MXene晶体管
通过技术论文链接- 9月28日,2022 -评论:0

新技术论文题为“高通量设计功能性改造MXene晶体管low-resistive联系人”由印度科学学院的研究人员发表(印度的)班加罗尔。文摘(部分):“二维材料晶体管被广泛研究了CMOS(互补金属氧化物半导体)技术扩展;然而,下来……»阅读更多

建模波动来源对棉酚的电特性的影响如果使用ANN-Based毫升NS mosfet
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

研究者从国家杨明交通大学(台湾)发表了一篇技术论文题为“机器学习方法建模的内在参数波动Gate-All-Around Si Nanosheet mosfet。”"This study has comprehensively analyzed the potential of the ANN-based ML strategy in modeling the effect of fluctuation sources on electrical characteristics of GAA Si NS MOSF...»阅读更多

设计和模拟低压CMOS电路使用的四个参数模型
通过技术论文链接- 20,2022 -评论:0

新技术论文题为“缩小之间的差距低压CMOS电路的设计和仿真”从圣卡塔琳娜州联邦大学的研究人员,巴西。抽象”这项工作提出了一个真正的紧凑MOSFET模型只包含四个参数来帮助一个集成电路(IC)设计师在设计中。四个参数模型(下午4点)是基于先进的com……»阅读更多

量子计算机和CMOS半导体:回顾和未来的预测
通过迈克尔Hargrove- 6月16日,2022 -评论:0

随着量子计算,需要外围容错逻辑控制电路达到了新的高度。在经典计算中,信息是一个单位“1”或“0”。在量子计算机中,单元的信息是一个量子位可以描述为一个“0”,“1”,或两者的叠加值(称为“叠加状态”)。控制c…»阅读更多

概述硅、碳化硅和氮化镓功率电子产品
通过技术论文链接——5月20日,2022 -评论:0

新开放存取研究论文”审查和评价电力设备和基于硅半导体材料,原文如此,和Ga-N”在印度主要来自各个机构。抽象”毫无保留地,半导体设备扭曲的世界尽管做实际的实验和研究领域。研究人员将沟通的过程semiconducto……»阅读更多

GaN ICs通缉,电动汽车市场
通过凯瑟琳德比郡——3月17日,2022 -评论:0

与离散GaN组件电路可以完成工作,但甘完全集成电路仍然是终极目标,因为他们将提供许多优势与硅集成电路相同。这些好处包括低成本电路占用的比例,减少寄生电阻和电容短互连。此外,改进设备性能……»阅读更多

回顾驱动电路对中期大功率宽禁带半导体开关器件的应用程序
通过技术论文链接- 04年2月,2022 -评论:0

文摘:“宽禁带(银行)材料开关设备,如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是很有前途的候选人取代传统硅(Si)场效应管的各种先进的功率转换应用,主要是因为他们capabi……»阅读更多

安全可靠的MOSFET在双向操作电源开关(bdp)应用程序
通过英飞凌- 05年1月,2022 -评论:0

全球电池驱动的应用程序市场正在迅速增长,包括电动工具、服务机器人,电动汽车,和许多其他人。开关电源的发展(smp)拓扑使设计师,以确保设备安全的充电和放电的电池使用双向转换器通过相同的终端。然而,为了满足安全requiremen……»阅读更多

电力转换系统——CoolSiC MOSFET的革命
通过英飞凌- 09年6月,2021 -评论:0

碳化硅(SiC)越来越多的晶体管用于电力转换器,将要求尺寸、重量和/或效率。碳化硅的杰出的材料性质使fastswitching单极器件的设计与双极型IGBT设备。因此,解决方案,一直到现在可能只在低压世界(< 600 V)现在可能在更高的电压……»阅读更多

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