标签:场效应晶体管

控制硅Carbide-Based设备的可靠性
通过彼得·弗里德里希2021年3月- 11 -评论:0

发展的宽禁带半导体碳化硅(SiC)化合物已被证明是非常有益的对权力转换的应用程序。更高频率的转换能力,较高的击穿电压特性、碳化硅功率晶体管正迅速成为一个有吸引力的替代硅的高功率密度和/或高效功率转换……»阅读更多

理解MOSFET开关行为通过LED驱动模拟
通过约翰克里斯多夫大米- 01年7月,2020 -评论:0

汽车白炽灯泡在很大程度上被更高效,可靠的,时尚的,甚至更安全的发光二极管(led)。led灯打开的一小部分时间和制动灯特别有用,在几分之一秒。在设计一个汽车LED灯的挑战是在满足政府要求光输出,同时成本效益。另……»阅读更多

制造:1月21日
通过马克LaPedus- 1月21日,2020 -评论:0

新高频晶体管的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF已经开发了一个新的高频晶体管type——金属氧化物半导体HEMT或MOSHEMT。还在研发,弗劳恩霍夫MOSHEMT达到了创纪录的640 ghz的频率。MOSHEMTs设计100 ghz频率范围及以上。应用包括通信、雷达和sens……»阅读更多

设计比较SiC场效电晶体的线性模式操作
通过技术论文链接- 02年10月,2019 -评论:0

来源:美国陆军研究实验室作者:希瑟·奥布莱恩,达米安尤西奥里,Aderinto Ogunniyi, Brett船体2019年8月“文摘:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)线性模式应用程序的设计和制造。场效应管有一个芯片面积3.3吗?3.3毫米和voltage-blocking评级1200 V。设备设计参数,如陈…»阅读更多

碳化硅的超级大国
通过Llew Vaughan-Edmunds8月- 15,2019 -评论:0

当我们进入一个新的计算时代推动物联网(物联网),大数据和人工智能(AI),更节能芯片的需求增长。在这种背景下,我们经常会考虑到摩尔定律和减少晶体管的大小。然而,功率半导体的进步并不是由节点的大小减少。硅功率开关、mosfet、igbt等,基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

检验、计量挑战为碳化硅生长
通过马克LaPedus- 11年6月,2019 -评论:2

检验和计量正变得越来越关键的碳化硅(SiC)行业中迫切需要在当前和未来的SiC设备发现有问题的缺陷。发现缺陷为碳化硅设备一直是一个具有挑战性的任务。但它是越来越迫切需要找到杀手缺陷和减少他们SiC设备厂商开始扩大生产的下一波……»阅读更多

生长在铁电设备感兴趣
通过凯瑟琳德比郡- 12月27日,2018 -评论:0

铁电场效应晶体管和记忆开始显示承诺研究人员开始开发和测试新一代晶体管。效率的一个测量晶体管的阈下摇摆,这是栅电压的变化需要增加一个数量级的漏极电流。以每十年单位毫伏,在传统mosfet k是有限的……»阅读更多

NAND的下一步计划是什么?
通过马克LaPedus——5月19日,2016 -评论:2

NAND闪存是一个关键的推动者,在今天的系统,但它是一个困难的业务。NAND闪存供应商需要雄厚的资金和强大的技术生存的竞争格局。展望未来,供应商在若干领域面临新的挑战。在一个方面,例如,整个NAND闪存市场目前处于低迷状态,由于软产品价格和温和的产能过剩。需求……»阅读更多

一个体育并不适合所有人
通过丽塔霍纳——5月14日,2015 -评论:0

消费者希望他们的移动设备电池更快、更小、更可靠的成本较低,同时提供更大的功能。最重要的是,消费者需要更长的电池寿命和24/7访问数据。为了满足这些需求,消费者系统级芯片(SoC)设计师必须权衡之间的功能,性能,功率和成本。企业SoC的设计师们……»阅读更多

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