资料来源:美国陆军研究实验室
作者:Heather O 'Brien, Damian Urciuoli, Aderinto Ogunniyi, Brett Hull
2019年8月
摘要:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)是为线性模式应用设计和制造的。mosfet的芯片面积为3.3 ?3.3毫米，阻压额定值可达1200v。通过改变通道长度、栅氧化层厚度和注入工艺等器件设计参数，研究了饱和区对器件运行的影响。在脉冲宽度为250µs至40 ms的脉冲电路中对mosfet进行了评估。具有较厚氧化物的mosfet (625 Å)比具有较薄氧化物的mosfet具有更大的脉冲能量耗散(超过130 J/cm2)。结果表明，具有厚氧化物的线性模式碳化硅mosfet的耗散脉冲能量密度是商用硅材料的5倍。”
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