标签:FEOL

CFETs将帮助该行业垂直走吗?
通过凯瑟琳德比郡- 15,2023 -评论:0

设备在每个新流程节点扩展变得更加困难。甚至定义意味着什么是成为一个挑战。在过去,门长度和金属音高下降和设备密度上升。今天,这是很难有几个原因:•短沟道效应限制栅极长度比例;•寄生效应限制装置密度,•金属电阻限制。所以r…»阅读更多

在FEOL创建空隙减少寄生电容
通过Sumant Sarkar11月17日,2022 -评论:0

减少门金属之间的寄生电容和晶体管的源/漏接触可以减少设备切换延迟。减少寄生电容的一个方法是降低材料的有效介电常数之间的层门和源/漏。这可以通过创建空隙介质材料在这个位置。这种类型的工作一直做…»阅读更多

芯片上的2 d / 3 d光子集成解决方案使用沉积多晶硅光学互联的应用程序
通过技术论文链接- 10月18日,2022 -评论:0

新技术论文题为“多晶硅PhC蛀牙的CMOS芯片上集成”被Tyndall国立研究所的研究人员发表,明斯特技术大学、格勒诺布尔大学和阿尔卑斯,东航,LETI。“在这项工作中,我们提出一个芯片上的2 d和3 d光子集成解决方案兼容线集成的前端(FEOL)使用沉积polycrystalli……»阅读更多

新材料新设备打开大门
通过凯瑟琳德比郡- 7月21日,2022 -评论:0

将2 d材料集成到传统的半导体制造过程可能是一个更为激进的芯片产业历史上的变化。虽然有痛苦与半导体制造的任何新材料的引入,过渡金属dichalcogenides (tmd)支持各种新设备的概念,包括BEOL晶体管和单-…»阅读更多

Angstrom-Level与afm测量
通过马克LaPedus8月19日,2021 -评论:0

竞争升温的原子力显微镜(AFM)市场,一些供应商航运新的AFM系统解决各种计量问题在包装、半导体等领域。AFM,一个规模虽小但增长领域,已在雷达下,包括一个独立的系统,提供表面测量结构到埃水平。(1埃= 0…»阅读更多

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

比赛更先进的包装
通过马克LaPedus——7月23日,2020 -评论:2

动量是建筑铜混合成键,对下一代技术,铺平了道路2.5 d和3 d包。厂、设备供应商、研发组织和其他正在开发铜混合成键,这是一个过程,堆栈和债券死在先进的包使用copper-to-copper互联。包装还在研发、混合粘结提供了莫…»阅读更多

产量和可靠性挑战7海里下面
通过PDF的解决方案——5月26日,2020 -评论:0

布局设计规则扩展非常积极,使没有EUV 7纳米技术节点。结果,实现可接受的性能和产量高容量生产(HVM)已经成为一项极具挑战性的任务。系统的产量和已经成为相当重要的参数的可变性。此外,由于覆盖公差要求和递减过程窗口,贫……»阅读更多

芯片制造3海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:4

选择铸造厂开始增加新的5 nm工艺研发的3海里。最大的问题是什么。2 nm节点的工作正在有条不紊地展开,但有许多挑战以及一些不确定性在地平线上。已经有迹象显示,铸造厂已推出3 nm生产计划几个月由于各种技术issu……»阅读更多

挑战成长寻找芯片缺陷
通过马克LaPedus- 9月19日,2019 -评论:5

几个设备制造商正在开发或增加一种新的晶片检查系统地址找到缺陷的挑战先进的芯片。在每一个节点,芯片的特征尺寸越来越小,而缺陷更难找到。在芯片缺陷是不必要的偏差,影响产量和性能。新检验系统承诺解决c…»阅读更多

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