标签:互补金属氧化物半导体

CMOS的历史
通过保罗McLellan- 5月25日,2023 -评论:0

CMOS已经存在了大约50年以来,一个全面的历史书。这个博客关注我认为主要的过渡。之前NMOS CMOS, NMOS(也办公室,但我没有直接的经验)。NMOS门由一个网络之间的N-transistors输出和Vss,和一个电阻(实际上一个晶体管植入)之间的产出和…»阅读更多

什么数据中心从汽车芯片制造商可以学习
通过安妮Meixner- 11年4月,2023 -评论:2

汽车oem要求半导体供应商实现几乎不可测的目标10每十亿(DPPB)有缺陷的零件。是否这是现实还有待观察,但系统公司正在效仿,为他们的数据中心soc水平的质量。建筑质量水平是更昂贵的,尽管最终可以节省成本而不得不……»阅读更多

Scatterometry-Based MRAM技术的方法来描述
通过新星1月18日,2023 -评论:0

磁阻的随机存取存储器(MRAM)技术和最近的事态发展在制造过程中已经表明它是兼容Si-based互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。垂直自旋转移力矩MRAM (STT-MRAM)配置为一个超密度MRAM打开了机会之进化和最广泛的用于其可伸缩性。插入……»阅读更多

MAC操作28 nm High-k金属门FeFET-based内存数组与ADC(弗劳恩霍夫ipm / GF)
通过技术论文链接——2022年12月1日电——评论:0

技术论文题为“Multiply-Accumulate操作示范与28 nm FeFET横梁数组”被弗劳恩霍夫ipm和GlobalFoundries的研究人员发表。抽象的“这封信报告一个线性multiply-accumulate (MAC)操作进行一个横梁内存数组基于28 nm high-k金属门(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi……»阅读更多

AI提要视觉处理器、图像传感器的繁荣
通过苏珊兰博11月- 03 2022 -评论:0

视觉系统正在迅速变得无处不在,由大改善图像传感器以及新型的传感器。虽然传感器本身通常是使用mature-node开发硅,视力越来越它连接到处理器开发最先进的流程节点。允许每瓦特性能最高,它还允许设计将AI accelera……»阅读更多

基本的芯片架构的变化
通过布莱恩•贝利10月- 13,2022 -评论:5

我们把半导体世界上很多事情是理所当然的,但是,如果一些几十年前决定不再可行或最优?与finFETs我们看见一个小例子,平面晶体管将不再规模。今天,我们正面临着几个更大的破坏,将会有更大的连锁反应。技术通常以线性方式发展。每个步骤提供了增加…»阅读更多

健壮的舌强硬地反对QNUs 22纳米CMOS技术的安全性至关重要的应用程序
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

技术论文题为“既和健壮的舌强硬地反对四节点为纳米级CMOS令”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,安徽理工大学、九州技术研究所和蒙彼利埃大学/ CNRS。文摘:”积极降低CMOS晶体管特征尺寸,软……»阅读更多

大规模生产量子位(Imec和鲁汶KU)
通过技术论文链接- 05年9月,2022 -评论:0

这种新技术论文题为“通向可制造的超导量子比特与放松时间超过0.1女士”被Imec和KU鲁汶研究人员发表。文摘”作为超导量子位平台成熟对规模越来越大的鳞片在比赛中实用量子计算机,限制由于量子位通过缺乏过程控制不均匀性成为应用程序…»阅读更多

低温CMOS变得凉爽
通过布莱恩•贝利8月11日,2022 -评论:1

低温CMOS技术的尖端,承诺更高的性能和更低的能力没有改变制造工艺。现在的问题是它成为可行的和主流。技术通常似乎只在地平线上,不让它,但从来没有在看不见的地方太远。这通常是因为一些问题困扰,激励不够大来解决……»阅读更多

水库计算HW基于CMOS-Compatible FeFET
通过技术论文链接- 07年8月,2022 -评论:0

新技术论文题为“水库计算平台与铁电硅场效应晶体管”是东京大学的研究人员发表的。研究报告“水库计算硬件基于铁电场效应晶体管(FeFET)组成的硅和铁电氧化锆铪。丰富的动力源自ferroelec……»阅读更多

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