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标签:5海里

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET器件性能的影响
通过Coventor- 2021年9月15日-评论

本文利用SEMulator3D虚拟制造平台构建了一个5nm FinFET流。使用SEMulator3D的模式依赖蚀刻功能研究了不同的STI(浅沟隔离)凹槽轮廓，包括沟槽/地基轮廓、鳍片高度和不平衡鳍片高度的变化。然后研究了STI隐窝轮廓对器件性能的影响。»阅读更多

新的内存会增加新的错误
通过布来安梅奥- 2021年9月7日-评论

新的非易失性存储器(NVM)为改变我们在片上系统(soc)中使用内存的方式带来了新的机会，但它们也为确保它们按预期工作带来了新的挑战。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM——依赖于独特的物理现象来存储数据。这意味着在它们被释放之前，可能需要新的测试序列和故障模型。»阅读更多

当前和未来的包装趋势
通过马克LaPedus- 2021年8月19日-评论

《半导体工程》与日月光研究员William Chen一起讨论了IC封装技术趋势和其他话题;Amkor高级包装开发与集成副总裁Michael Kelly;QP Technologies母公司Promex总裁兼首席执行官Richard Otte;JCET全球技术营销高级总监Michael Liu;托马斯·乌尔曼，直接…»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2021年8月13日-评论:0

三星发布了最新款可折叠智能手机——Galaxy Z Fold3 5G和Galaxy Z Flip3 5G。该系统基于三星的5nm应用处理器。其中一个系统是该公司最实惠的折叠式手机。Galaxy Z Fold3售价为1799.99美元，而Galaxy Z Flip3售价为999.99美元。三星还发布了两款智能手表——Galaxy Watch4和Galaxy Watch4…»阅读更多

利用虚拟DOE预测先进FinFET技术的进程窗口和器件性能
通过Qingpeng王- 2021年8月3日-评论:0

随着finFET器件工艺尺度的不断扩大，微加载控制因其对成品率和器件性能的显著影响而变得越来越重要[1-2]。当晶圆片上的局部蚀刻速率取决于现有的特征尺寸和局部图案密度时，就会发生微加载。Uninten……»阅读更多

量子计算竞赛
通过马克LaPedus- 2021年7月26日-意见:0

随着越来越多的实体竞相对这项技术进行基准测试、稳定并最终实现商业化，量子计算正在升温。截至2021年7月，来自中国的一个团队似乎在原始性能方面处于领先地位，但谷歌、IBM、英特尔和其他量子计算机开发商也不落后。不过，这一切都可能在一夜之间改变。现在谈……还为时过早。»阅读更多

300mm设备的需求和交货时间飙升
通过马克LaPedus- 2021年5月20日-意见:0

对各种芯片的需求激增导致了300mm半导体设备、掩模工具、晶圆和其他产品的选择短缺和交货时间延长。在过去的几年里，200mm设备在市场上一直供不应求，但现在整个300mm供应链也出现了问题。传统上，交货时间是三到六个月。»阅读更多

代工大战开始
通过马克LaPedus- 2021年4月19日-评论

领先的晶圆代工厂商正在为一场新的高风险支出和技术竞赛做准备，为半导体制造业格局可能发生的大洗牌奠定了基础。今年3月，英特尔重新进入代工业务，将自己定位于与三星和台积电的领先地位，并与众多在较老节点上工作的代工公司竞争。英特尔宣布计划建造…»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2021年4月16日-意见:0

芯片制造商台积电公布了强劲的业绩，并将其资本支出预算提高到300亿美元，高于此前预测的2021年250亿美元至280亿美元。KeyBanc分析师韦斯顿•特威格(Weston Twigg)在一份研究报告中表示:“它的前景表明，在供应链紧张的情况下，广泛的半导体需求继续走强。”“台积电公布了又一个季度对铅的强劲需求……»阅读更多

改变芯片缩放规则
通过埃德·斯珀林- 2021年3月10日-意见:0

D2S首席执行官Aki Fujimura在接受《半导体工程》(Semiconductor Engineering)采访时谈到了对芯片密度的不断推动，如何通过其他手段而不仅仅是缩放来提高芯片密度，以及为什么这对芯片行业如此重要。»阅读更多

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