哪种方法更好的单片机和为什么。
蓬勃发展的汽车和物联网市场需求增长推动微控制器(mcu)。最近的预测项目的整体单片机的复合年增长率(CAGR)将在未来5年内达到4%,特别是汽车单片机CAGR可能达到接近14%。
非易失性内存(NVM)是单片机的一个重要组成部分,因为它不仅需要存储代码,而且存储操作数据在整个产品生命周期。
两个NVM解决方案
NVM的解决方案有两种常用的构建单片机:NVM直接嵌入在芯片系统(SoC)或一个单独的,外部NVM芯片组装与逻辑芯片system-in-package (SiP)的解决方案。单片机与嵌入式NVM (eNVM)组装在一个特殊的逻辑过程,包括eNVM,单片机操作所需的一切就是单芯片中创建。单片机的使用SiP解决方案,和Flash芯片和逻辑芯片都打包在一起。因此,代码和数据存储在一个独立的逻辑芯片和Flash芯片。
前单片机提供商在其产品中主要使用一个eNVM的解决方案,但是一个SiP解决方案可能是一个有吸引力的选择小公司。这些公司可能实现缩短上市时间,部分原因是使用标准,随时可用的逻辑过程可能简化和缩短设计周期。然而,SiP解决方案可能无法满足所有的要求很多物联网和汽车应用程序。使用eNVM往往会被上级解决方案考虑到成本,力量、速度、安全性、稳定性和可靠性需求的高增长单片机应用程序。
选择最好的解决方案
选择一个应用程序的最佳解决方案,考虑下面的比较这两个解决方案基于功耗的关键终端市场需求,升高时间、速度、安全性、可靠性和成本:
比较成本
以下成本比较包括六个典型NVM记忆密度(2 mb, 4 mb, 8 mb, 16 mb, 32 mb, 128 mb)实现对GF eFlash 40 nm LPx平台,也不会22日与eMRAM(22纳米FD-SOI)平台。
因为每个公司都有不同的电力SiP解决方案的方法,不同的片上存储器密度外部Flash用于“影子”。以下结果假设SiP的理想情况下,一个SiP解决方案和eNVM解决方案利用一个存储器大小相同。注意,最常见的SiP解决方案增加了从外部Flash存储器大小的代码跟踪。
图表显示,40 nm平台eNVM (eFlash)是低成本当NVM密度小于16 mb,而SiP解决方案是降低成本当NVM密度等于或高于16 mb。
设计利用22纳米社平台,eNVM解决方案(eMRAM)是低成本当NVM密度小于32 mb,而SiP解决方案是降低成本当NVM密度等于或高于32 mb。
比较两个平台,22不会eNVM解决方案(eMRAM)低成本在所有NVM密度与40 nm SiP解决方案。此外,对于22纳米平台eMRAM更高密度的额外成本(32 mb +)是4%或更少,同时也优于一个SiP解决方案,速度、安全性和可靠性。
对于更大的存储器密度,eNVM解决方案的优点是更大的。
那么,解决方案是最适合我的单片机?
总之,eNVM和SiP解决方案都是可行的方法结合逻辑和NVM。然而,eNVM通常是一个更好的选择对于单片机根据上级权力,速度、安全性和可靠性。关于成本,比SiP eNVM通常是一个更低的成本,特别是低于32 mb NVM密度。随着单片机制造商考虑所有的权衡他们的产品,女朋友愿帮助客户选择合适的解决方案来赢得市场。
在最近的一次科技视频GF会谈讨论的利弊嵌入式非易失性内存和系统方案。
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