来缩短设计周期提供准确,高效,一次性RTL硅。
不断飙升的复杂性和增加芯片的尺寸,实现有效的和可预测的设计关闭今天已成为一个著名的设计师之间的挑战。要求更快的上市时间迫使设计师想办法缩短设计周期和准确,高效,一次性RTL硅。满足这些要求设计师正在实施早期“左移位”验证。
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传感器技术仍在不断发展,和功能正在被讨论。
球继续减少,但是需要新的工具和技术。
问题包括设计、制造、包装、和可观察性都需要解决这种方法成为主流之前对于许多应用程序。
埋藏特征和凹角几何图形驱动应用程序特定的计量解决方案。
蚀刻工具变得更特定于应用程序的,每个新节点要求更高的选择性。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
一个处理器的验证是更复杂的比同等规模的ASIC,和RISC-V处理器把这一层复杂性。
学术界、业界伙伴关系斜坡来诱使大学生硬件工程。
高速度和低热量使这个技术至关重要,但它是极其复杂和人才是很难找到和火车。
地图在interposer-based热量流动设计工作正在进行,但要做得多。
先进的设备、材料和包装技术所有导致权力问题。但是你需要关注每个晶体管和线吗?
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