文摘:
Nanoimprint光刻(NIL)是一种很有前途的技术和更低的成本比其他fine-patterning光刻技术,如EUV或与多模式浸。零有潜力的“单身”模式为两线模式和孔模式的半场不到20海里。NIL半导体制造工具使用死——by-die对齐系统波纹́边缘检测使校准测量精度低于1海里。
在本文中,我们描述零覆盖性能的评估结果使用最新的零300 mm晶圆的工具。我们的进步“NIL-to-NIL”和“NIL-to-optical工具”变形匹配技术。从这些分析基于实际零覆盖数据,我们讨论的可能性NIL叠加演化实现,产品覆盖精度3 nm和超越。
把这技术论文在这里。公布的06/2017。
时代,K。铃木,M。Mitsuyasu, M。河野,T。Nakasugi, T。Lim, Y。&荣格,w .(2017年6月8日)。覆盖控制nanoimprint光刻-佳能全球。
IBM GlobalFoundries起诉;欧盟的47美元b芯片计划;中国芯片产出下降;空间打造开放我们设施;首先LPDDR闪存;可变形的纳米电子设备;桌面三维x光显微镜。
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