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标签:对齐

利用皮秒激光声学测量在不透明层下的叠加和对准标记成像
通过上的创新- 2021年11月9日-评论:0

光学不透明材料在磁随机存取存储器(MRAM)的半大马士革工艺流程或磁隧道结(MTJ)处理后的对准和叠加方面提出了一系列挑战。在所有多层模式中，平版印刷定义的模式在模式和底层之上的叠加和对齐是设备操作的基础。»阅读更多

晶圆凹凸检测面临越来越大的挑战
通过埃德·斯珀林- 2021年10月11日-评论

随着先进封装成为主流，确保晶圆凸点的一致性已成为晶圆代工厂和osat的关键问题。CyberOptics的计算机视觉工程经理John Hoffman谈到了向中线的转变以及这是如何影响检测和计量的，为什么对共面性和对齐有如此多的关注，变化是如何叠加和创造的……»阅读更多

纳米压印光刻的覆盖控制
通过技术文件链接- 2017年12月31日-评论:0

摘要/ Abstract摘要:纳米压印技术(NIL)是一种极具发展前景的精细印模技术，其成本低于EUV或浸泡多印模等其他光刻技术。对于半间距小于20nm的线状图案和孔状图案，NIL具有“单一”图案的潜力。半导体制造的NIL工具采用逐模对准系统…»阅读更多

纳米压印光刻的覆盖控制
通过技术文件链接- 2017年12月31日-评论:0

摘要/ Abstract摘要:纳米压印技术(NIL)是一种极具发展前景的精细印模技术，其成本低于EUV或浸泡多印模等其他光刻技术。对于半间距小于20nm的线状图案和孔状图案，NIL具有“单一”图案的潜力。半导体制造的NIL工具采用逐模对准系统…»阅读更多

模式的大变化
通过埃德·斯珀林- 2017年2月22日-评论:0

[getentity id="22864" comment="D2S"]的首席执行官Aki Fujimura与《半导体工程》杂志一起讨论了10nm及以下的制模问题，包括掩模的排列、GPU加速的需求、EUV未来对掩模总数的影响，以及曲线形状的重新引入对设计的意义。SE:图样问题在10nm和7n得到了很多关注……»阅读更多

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