NAND吃市场变得暴躁的

NAND闪存市场正在发生巨大的变化。随着平面NAND进一步1 xnm节点政权,供应商与新细胞结构,加大设备接口和其他特性。和最重要的是,3 d NAND开始在市场上出现。

下一代NAND闪存设备将使新的应用程序在移动和企业市场,但芯片本身存在一些内存厂商制造挑战。最明显的挑战之一是,供应商必须保证设备的质量。不是那么明显,供应商可能需要提高他们的测试地板。

事实上,新一波的NAND闪存设备将需要更多的比之前的芯片测试覆盖率。反过来,这可能会提高测试时间和可能的成本。因此,对于自动测试设备供应商(吃),所面临的挑战是开发测试人员不仅可以解决前沿NAND闪存设备,但也保持测试时间,测试的总体成本,。

“闪电是一种低成本、大容量市场,”肯行Lai说,美国效果显著,产品营销经理的美国子公司吃巨大的效果显著。“NAND闪存测试,我们面临更大的压力,为客户降低测试成本。我们的客户需要保持他们的测试成本较低,但他们还必须能够维持他们的设备的质量和可靠性。所以,我认为,需要更多的测试。”

需要更严格的测试是在若干领域显现出来。“使用模型变化,”赖说。“例如,(附加)卡市场消费的NAND闪存容量。但如果卡坏了,你就回来了,买了一个新的。信用卡市场仍然退出,但慢慢过渡到嵌入式市场。他们是内置到设备。问题是,如果出现问题,整个设备就回来了。”

总之,吃了供应商和客户,在NAND闪存面临着一系列的挑战。“他们必须保持领先,”Mark Stromberg说Gartner的分析师。“测试时间已经增加,尤其是对NAND测试。关于阅读和re-writeability的装置,这是一个大问题,尤其是当你开始看一些新产品,使用的是与非,比如ssd。”

作为回应,吃厂商已经推出了一种新的测试人员或能力来解决新一代设备。问题是芯片制造商是否愿意支付新吃。有些人可能选择扩展当前的吃,这可能有一些影响测试时间。“芯片制造商真的努力削减成本测试,原因很简单,“Stromberg说。“测试更多的是一种验证过程,确保你的一部分工作。这不是真的视为增值本身。你不是将功能添加到死。”

暴躁的市场
吃的NAND闪存市场的一个亮点是一个动荡的业务。有超过一打吃了供应商在1980年代,但市场经历了戏剧性的洗牌。今天,事实上,该行业由三个主要吃仅有的球员logic-Advantest, LTX-Credence Teradyne。

效果显著,Teradyne大内存吃供应商。此外,还有几个小吃供应商,有些给他们更大的竞争对手。例如,单元,一个韩国内存吃供应商,基本上是由三星公司支持。“单位更多的是一种被买三星,“Stromberg说。“(效果显著和Teradyne)仍然卖给三星。什么是单位给三星更杠杆测试仪的销售价格等等。”

总的来说,吃行业是一个大杂烩。2013是下一年吃,但业务有望反弹,2014年增长15%,根据Gartner。“我们觉得,应该有一些被禁锢的需求在2014年投产,”Stromberg说。”的一大问题是,我们有些担心会发生什么事在宏观经济的基础上。如果有任何类型的终端用户需求放缓,OSATs,特别是将真正开始推迟资本命令。”

数字是吃最大的市场。“在SoC测试中,2013年市场跌至19亿美元,低于一般市场预估的23亿美元在今年年初,”Mark Jagiela说Teradyne总统,在最近的一次电话会议。“虽然2013说明了市场规模预测的难度在今年早期,我们相信会有一个反弹在数字领域,市场可能会在21亿美元到24亿美元的范围内。”

相比之下,记忆吃大约10年前20亿美元的业务。但在DRAM和闪存市场大洗牌后,内存吃市场已经减少。去年,总内存吃市场刚刚超过4亿美元的业务,根据Gartner。

尽管如此,记忆吃市场预计将在2014年增加16%,据该公司。“很多吃的资本预算是集中在闪光的一面,“Stromberg说。“大多数的NAND闪存测试此时是通过IDMs和他们是一个更严格的资本预算。这并不意味着他们会推动一些的,但不要动他们的资本预算OSATs一样积极地做。”

总的来说,NAND闪存市场本身在2014年预计将达到320亿美元,比2013年增长18%,据加拿大皇家银行资本市场。一些增长预计将增长40%,而资本支出预计将增长18%,据该公司。

NAND闪存测试挑战
NAND也在几个方向。在流程方面,平面与非预计放缓,碰壁在10纳米。所以,供应商正在开发新一代3 d NAND闪存。此外,平面设备本身可以是单层细胞(SLC), 2比特多层细胞(多层陶瓷)或3-bit多层陶瓷。另外,有传统的NAND和DDR NAND闪存。有两个接口——切换模式和ONFI竞争。

对测试工程师的多样性提出了一些挑战。“你必须描述的部分,”吉姆说方便,客观分析的分析师。”今天的NAND闪存,各种参数可以设置在内部。因为有这样一个广泛,找到合适的组合可以很长一段时间。但是芯片船来赚钱。所以工程师的时间压力是巨大的。”

上市时间是一回事。确保今天的设备的质量和可靠性是另一回事。“你会真的需要一个更有能力测试人员能够测试这些设备,“赖说,效果显著。

应对NAND闪存的需求,效果显著,Teradyne和其他人最近推出了新的测试人员或功能。这些系统的通用或专用的测试人员。“如果你建立一个通用的测试,这个测试需要测试所有的记忆,“赖说。”,这种类型的测试人员,你会花很多钱。”

大吃玩家倾向于提供专用内存测试人员,仍然可以测试各种不同的设备。效果显著的新NAND吃系统,被称为T5831,基于tester-per-site架构。系统提供了site-chain支持和并发测试。它还支持坏块管理功能,ECC评分等功能。

尽管新吃,下一代NAND闪存设备可能仍然需要更多的测试覆盖率,从而提高测试时间。“你有一些设备需要短的测试时间和测试时间较长的,”赖说。“测试时间增加,因为密度增加而死。在某种程度上,他们跟踪对方。你有更多的内存测试。因此,您的测试时间会明显提高。”

测试工程师必须处理其他问题。例如,记忆细胞的速度和复杂性也增加。“NAND,现在,是在大约400 mbps。在未来,人们在谈论500 mbps到800 mbps的未来,”他说。

”,情况变得更加复杂和的比特数的增加,他们发现问题的细胞,”他说。“比如,你有flash细胞持有三位/细胞。三位,这基本上是八个不同的阈值水平相同的电压范围内使用。当你从一个电压阈值到另一个,你基本上是改变闪光单元的内容。你在说可能就像几百毫伏阈值之间的关系。和你如何测试设备以这样一种方式,设备将能够区分一个阈值到另一个?和你如何校准设备?它需要大量的设备的校准,测试人员帮助。”

另一个挑战是测试NAND在移动系统。在智能手机和其他移动产品,NAND DRAM和其他设备堆放并出售的形式multi-chip包(兆赫)。今天的兆赫可能多达16个死于同一个包。

测试包中的所有位需要长时间测试。减少测试时间的方法之一是所有死于一个包的执行并发测试。“人们可以采用双行程技术,他们可以测试一个闪存设备,然后测试DRAM第二。或者他们在同一个包同时测试设备,这意味着有两个测试程序和测试设备同时运行。基本要求一个不同的测试架构,”赖说。

“在古典测试架构,你通常有一个固定数量的I / O引脚和固定数量的PPS频道,”他说。“在新系统,我们有能力分配或多或少的PPS通道每设备所需的客户。”

总之,测试人员必须支持速度测试800每秒10%保证金的总体时间精度< 200 ps。“它还必须能够由DRAM类型的速度,达到1.2吉比特每秒。这是我们有能力做MCP测试,我们可以测试闪光和DRAM同时,”他说。在任何情况下,吃的坏消息和其他设备厂商的智能手机市场正在放缓。好消息是,还有其他司机在NAND闪存领域。“一些增长仍很好,”赖说。“asp是稳定的。司机仍基本上手机市场,但是ssd的强劲需求。”