文摘:
实现全固态白光发射器件需要高效率的蓝色、绿色和红色发射器。然而，通过传统的量子阱生长来提高长波长的iii族氮化物发光器件的低量子效率仍然存在挑战。在这里，我们展示了一种新的直接金属有机化学气相沉积方法，使用v坑在Si衬底上生长富含in的InGaN量子点，绕过了对模式化或非常规衬底的需要。一项有关交叉v坑的光学、组成和结构特性的相关纳米尺度研究表明，高度织构的表面从自发形成InGaN量子点的金字塔顶点产生局域高强度红移发射。我们建立了这种高效长波长发光的起源，这是由于空间限制的高in含量沉积，以及较小带隙能量的基础层错被圈闭在一个低发射率棱镜层错环内。我们在Si上的单片生长方法将为实现cmos兼容的无磷白光发射固态器件开辟新的途径。”
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