多模式是对你有好处吗?

我认为我们都能记住成长,我们的父母让我们把气味难闻的药品,或者我们不喜欢吃的食物,或忍受痛苦的照片,所有的旗帜下”这是对你有好处!“我们不喜欢它,我们仍然不喜欢它。我们都喜欢减肥方法而吃任何我们想做的事情,或建立强有力的肌肉和有氧健康通过看电视或看书。而广告总是承诺一粒神奇的药丸,让我们实现这些目标(3支付29.99美元! ! !),他们似乎从来没有辜负炒作。一个简单的事实是,这些方法不存在,至少目前还没有。

另外,我们对象少一个解决方案,可以转让给别人,即使是价格。举例来说,很多人不介意付出服务打扫他们的房子或修剪草坪。成本仍在发生,但至少你不必起床从沙发上。

所以让我们多模式的问题(MP)。把它到任何设计团队,准备听呻吟和喘息的恐惧和厌恶。

“为什么我们要这么做?”“我不明白!”
“没有一种更简单的方法或其他选择吗?”
“这太难了!”“不能为我们的铸造照顾?”

你会认为你有长大的政治或一些非常不愉快的医疗程序。那么发生了什么?在这种情况下我们怎么?这真的是我们应该做的事情吗?答案(不幸的是)是一样的你的父母已经给你,因为你是一个孩子。“这是对你有好处!”

有一件事是肯定的,议员不是一次性波动在路上。鉴于我们唯一可用扫描仪技术通过至少10 nm 193我,我们将不得不处理更简单litho-etch-litho-etch(乐乐)双模式(DP)在接下来的几年里。在今年的方法相比,丹Mallik和其他人从IMEC在极端的经济影响紫外线(EUV)光刻关键流程模块。作为报告的一部分,他们制定了光刻过程假设从28纳米7纳米技术节点,如图1所示。

图1:光刻N28假设,N20, N14, N10 N7技术节点[1]。

正如您可以看到的,有许多形式的议员正在考虑和部署在不同的技术节点,包括变化双重、三重(TP)和四模式(QP)。这些技术不仅带来各种新的设计师头疼,他们也有一些重要的财务成本。Mallik也提出了一个标准化的晶片成本趋势IMEC表示(图2)。

图2:归一化晶片成本趋势——节点到节点演化[1]。

从所有这些数据可能并不清楚是我们节省多少钱。是的,这是正确的。我说“拯救”我们。多模式带来尽可能多的头痛和多钱,现在仍远低于替代品。我阅读的评论展示斯蒂芬•Renwick高级研究科学家尼康美国研究公司,在2014年春季LithoVision研讨会,题为“互补选择和他们的成本。“我适应他的一些数据到一个图表(图3)来比较各种石印选项高级节点。

图3:光刻成本比较[2]。

从斯蒂芬的计算,它是更便宜的DP或TP 193我比单一模式对EUV。当然,这并不是提到EUV还没有准备好,即使你想使用它。事实上,因为EUV也许不会是可用的,直到7或5 nm,最需要它的层实际上可能需要double-patterned EUV。是的,你听到的正确。即使EUV已经准备就绪,我们可以使用MP。从图中可以看到,您可以轻松地承受4 - 6面具议员EUV-DP 193我在类似的成本。

它只是似乎太不公平了,不是吗?设计师突然要把所有这些额外的成本和处理所有这些额外的复杂性。然而,你需要意识到的是,这增加了复杂性已经自从65海里。唯一的区别是,别人是“吃西兰花”给你。

我们没能打印设计与光刻工具对许多技术可用节点前20 nm (DP第一次出现时)。在图4中,我把在一起的趋势k1因素(石版印刷适性的测量)技术节点。您可以看到,k1维度因素急剧下降的模式。如果低于~ 0.4,那么你不能打印它强劲。EDA公司与这一趋势通过开发新的光刻工具与较小的光的波长(λ)和更好的数值孔径(NA)。但在~ 65海里,我们失去了战斗。

图4:石印k1趋势技术节点

我们克服这些光源的限制,使用光学邻近校正(OPC)技术在铸造。基本上,铸造厂已通过篮球跳过去几年修改布局,以便打印。它不会伤害那么多当别人为你做这项工作。但不要太天真;你支付所有的努力,所有这些额外的晶片成本技术节点。

EDA-based模式操作软件技术已经无处不在在制造业方面的许多过程。和,就像国会议员正在迁移的复杂性从两倍到三倍到四倍模式,等等,OPC经历了不断增加的复杂性,因为它第一次部署。这里列出的各种OPC技术开发和部署。

• 基于规则的OPC
• 基于模型的OPC
• SRAF插入
• OPC验证
• 硬件仿真
• 源优化面具(SMO)

从图4中还可以看出,在~ 0.2 k1, OPC不足以弥补损失的决议。这就是国会议员。这只是另一个技巧让摩尔定律前进,只有这一次设计师处理疼痛更直接。

图4还告诉我们,根据技术节点的EUV可用时,它也将需要国会议员,已经需要一些严重的OPC校正。底线是,议员可能留在这里,和我们都应该心存感激,即使我们不喜欢它的味道。没有它,摩尔定律就会结束,我们不能期待我们的下一个电话或平板电脑很酷的新特性。

在我的下一篇博客中,我将讨论各种权衡,你需要考虑当你开始实现多模式布局。

引用

[1]丹Mallik;日本首相Horiguchi;尤尔根•范博梅尔在;亚伦中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内;凯西·巴拉;基尔特•Vandenberghe;库尔特Ronse;朱利安Ryckaert;Abdelkarim Mercha;莱斯Altimime; Diederik Verkest ; An Steegen; The economic impact of EUV lithography on critical process modules. Proc. SPIE 9048, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography V, 90481R (April 17, 2014); doi:10.1117/12.2046310.
[2]“互补选项及其成本;”Stephen Renwick;LithoVision研讨会;2014年春季。