技术论文

在略微扭曲的二维半导体界面铁电性

扭曲的2 d过渡金属dichalcogenides (tmd)显示室温铁电性。

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文摘
“扭曲的异质结构的二维晶体为新材料的设计提供几乎无限的范围。在这里我们展示一种室温铁电半导体组装使用mono -或few-layer二硫化钼。这些范德瓦耳斯破碎的镜面对称,异质结构特征,结合界面的原子排列不对称的两个二维晶体,使铁电域与交替出平面偏振排成一个twist-controlled网络。最后可以通过应用出平面电场,电子显微镜原位可视化使用引导的对比。观察界面电荷转移,运动域壁及其弯曲刚度与理论计算吻合较好。此外,我们证明概念验证场效应晶体管,通道阻力表现出明显的滞后由铁电畴壁钉。我们的结果显示一个潜在的大道向室温电子和光电半导体器件内置铁电记忆功能。”

找到开放获取技术论文链接在这里。2022年2月出版。

韦斯顿,。Castanon,例如,Enaldiev,诉等。在略微扭曲的二维半导体界面铁电性。Nanotechnol Nat。(2022)。https://doi.org/10.1038/s41565 - 022 - 01072 - w



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