直列式二次离子质谱(SIMS)如何解决复杂的测量问题SiGeB epi堆栈提供了材料组成配置文件作为深度的函数。
外延过程的沉积在半导体制造技术,因为它支持的能力达到更高的掺杂浓度比通过离子注入可以获得。当我们迈向< 5纳米技术,使gate-all-around场效应晶体管的一个关键过程(GAAFET)是堆叠multi-lattice硅(Si)和硅锗(锗硅)构建nanosheets epi过程。
锗硅锗(Ge)含量与通道的压力,和锗分数(Ge %)一直在稳步增加我们朝着小技术节点。当压力高,epi层可以有多个问题等缺陷的形成,一方面形成,非均匀应变,等等的挑战更大,从平面到三维结构,在应变均匀性和控制缺陷密度是重要的。通常,多个epi的锗硅层厚度不同,通用电气%,硼沉积掺杂来优化设备结构和流程集成。
使过程控制层厚度,Ge %和硼掺杂浓度在这些复杂SiGeB epi栈是大批量制造的关键(HVM),并没有单一的在线计量测量。
本文介绍了直列式二次离子质谱(SIMS)可能是一个解决这个问题通过提供材料组成资料深度的函数,导致厚度、通用电气从每个nanosheet %和硼浓度数据。
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