标签:西姆斯

Epi使用METRION内联SIMS锗硅应用程序系统
通过新星- 07年3月,2023 -评论:0

外延过程的沉积在半导体制造技术,因为它支持的能力达到更高的掺杂浓度比通过离子注入可以获得。当我们迈向< 5纳米技术,使gate-all-around场效应晶体管的一个关键过程(GAAFET)是堆叠multi-lattice硅(Si)和硅锗(锗硅)epi过程……»阅读更多

离子注入应用程序在线模拟人生计量
通过新星2023年2月- 08年(-评论:0

在半导体行业,离子注入过程已经扩大到广泛应用剂量和能量跨越好几个数量级。离子注入是一个非常复杂的过程,有许多参数和影响因素植入概要文件。例如,阴影效果更高比例的光致抗蚀剂,离子通道或de-channeling效果……»阅读更多

计量选项增加设备的需求转变
通过劳拉·彼得斯2023年1月- 10 -评论:1

半导体晶圆厂正在采取一种“甲板上所有的手”的方式来解决艰难的计量和收益管理的挑战,结合工具、流程和其他技术的芯片产业转型nanosheet晶体管在前端和后端异构集成。光学和电子束工具正在扩展,而x射线检查被添加在一个案子-…»阅读更多

一个新的方法来计量
通过杰夫Dorsch12月- 14,2018 -评论:0

创业活跃层参数化Inc .) ALPro 50计量工具提供了“电性质的原子水平的深度剖析”——自动处理直接的数据传输。微芯片的不断小型化和奈米晶片已经推动使用原子层沉积和原子层腐蚀过程在半导体制造业。与小型化…»阅读更多

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